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J-GLOBAL ID：202002258278925070   整理番号：20A0292393

Si量子ドット上に直接成長させた単一または多層MOS_2から作製した高速ヘテロ接合フォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

High-speed heterojunction photodiodes made of single- or multiple-layer MoS₂ directly-grown on Si quantum dots

著者 (6件)： Shin Dong Hee (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin, 17104, South Korea) ,  Jung Dong Hwan (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin, 17104, South Korea) ,  Kim Youngchan (School of Mechanical Engineering and SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi, 16419, South Korea) ,  Lee Changgu (School of Mechanical Engineering and SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, 2066 Seobu-ro, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi, 16419, South Korea) ,  Wang Xiao-Lin (Institute for Superconducting and Electronic Materials, Australian Institute for Innovative Materials, University of Wollongong, North Wollongong, New South Wales, 2500, Australia) ,  Choi Suk-Ho (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin, 17104, South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 820  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,化学蒸着成長した二硫化モリブデン(MoS_2)が,魅力的な光電子特性のためにMoS_2/Si-ウエハヘテロ接合(HJT)光検出器に積極的に使用されている。しかし,MoS_2/Si HJTは,単純な素子構造にもかかわらず,低い光吸収のために低い光応答を示すので,それほど有利ではない。さらに,MoS_2膜のターゲット基板への移動中に発達したMoS_2/Si界面の欠陥による高品質MoS_2膜の達成に限界があり,Siウエハ上の直接成長の制限から生じた。ここでは,最初に,Si量子ドット(SQD)多層(MLs)埋め込みSiO_2(SQD:SiO_2ML)基板上での単層および多層MoS_2膜の直接成長の成功について報告した。多層MoS_2/SQD HTJフォトダイオードは,立上り時間の応答速度が約60ns/降下時間:~756ns,達成されたものより高く,検出感度は6.1×10~13cmHz~1/2W~-1であることを示した。この優れた性能は,直接成長によるMoS_2/SQD:SiO_2界面でのHJTの形成に起因し,欠陥の減少をもたらし,それにより,SQD:SiO_2MLのキャリア輸送と高い光吸収率を容易にした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一層 ,  光検出器 ,  素子構造 ,  界面 ,  *ケイ素 ,  光電子 ,  化学蒸着 ,  多層 ,  *フォトダイオード ,  *ヘテロ接合 ,  光吸収 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  シリコンウエハ ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MOS_2 ,  Si量子ドット ,  ヘテロ接合 ,  フォトダイオード ,  直接成長 ,  応答速度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  量子ドット ,  成長 ,  多層 ,  作製 ,  ヘテロ接合 ,  フォトダイオード