文献

J-GLOBAL ID：202002258405673387   整理番号：20A0346743

Fan-Out Wafer Level Package(FO-WLP)用UVレーザ剥離型仮止材料の開発

UV Laser Releasable Temporary Bonding Materials for Fan-Out Wafer Level Package (FO-WLP)

著者 (8件)： 大喜多健三 (JSR) ,  水野光 (JSR Micro, Inc.) ,  石井寛之 (JSR) ,  加藤仁史 (JSR) ,  森隆 (JSR) ,  石川弘樹 (JSR) ,  丸山洋一郎 (JSR) ,  長谷川公一 (JSR)
資料名： JSRテクニカルレビュー  (JSR Technical Review (Japan Synthetic Rubber))
号： 126  ページ： 18-25  発行年： 2019年03月29日 
JST資料番号： G0998A  ISSN： 0916-7129  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 薄い成形コンパウンドの埋め込みダイの取り扱いで,損傷を与える可能性があることから低温プロセスに適応するため,FO-WLPプロセスにおけるTemporary bonding/de-bonding(TBDB)技術が必要である。高いスループットと低い熱/機械的応力でのUVレーザ放出を可能にする低温結合プロセス用のレーザ剥離可能なTBDB材料を開発した。開発したTBDB材料は,接着層と剥離層の2層で構成した。適切なウエハ結合温度は,接着剤の主成分であるポリマの分子量によって制御できた。最も低い分子量のポリマを採用することにより,160°Cでも良好な結合特性が見られた。一方,剥離層材料は,優れた安定性を示し,剥離層上へ直接RDLを形成することを可能にし,Chip-last(RDL-first)法において積層構造を実現できた。ウエハ剥離プロセスにおいて適したレーザエネルギーは,308nmエキシマレーザで130mJ/cm²,355nmYAGレーザで190mJ/cm²であった。これらの材料はFO-WLP応用の進歩に有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ICパッケージ ,  *紫外レーザ ,  エキシマレーザ ,  YAGレーザ ,  *剥離 ,  プラスチック ,  調合品 ,  レーザ出力
準シソーラス用語： FO-WLP ,  UVレーザ ,  ウエハレベルパッケージ ,  プラスチックコンパウンド ,  *仮止材料 ,  接着層 ,  低温プロセス ,  剥離層

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (16件)：

• J. H. Lau: “Fan-Out Wafer Level Packaging”, Springer Nature, Singapore(2018).
• G. J. Jung, B. Y. Jeon, I. S. Kang: Proc. EPTC 2009(2009), p.191.
• Y. Kurita, S. Matsui, N. Takahashi, K. Soejima, M. Komuro, M. Itou, C. Kakegara, M. Kawano, Y. Egawa, Y. Saeki, H. Kikuchi, O. Kato, A. Yanagisawa, T. Mitsuhashi, M. Ishino, K. Shibata, S. Uchiyama, J. Yamada, H. Ikeda: Proc. ECTC 2007(2007), p.821.
• S. W. Yoon, Y. Lin, S. Gaurav, Y. Jin, V. P. Ganesh, T. Meyer, P. C. Marimuthu, X. Baraton, A. Bahr: Proc. ECTC 2011(2011), p.441.
• M. Santarini: Xcell Journal, 74, 8(2011).

タイトルに関連する用語 (5件)： FO ,  WLP ,  UVレーザ ,  仮止 ,  開発