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J-GLOBAL ID：202002258419182131   整理番号：20A1874501

可視光領域における高い異方性移動度と増強された光吸収を有する2D XBiSe_3(X=As,Sb)単分子層【JST・京大機械翻訳】

2D XBiSe₃(X = As, Sb) monolayers with high anisotropic mobility and enhanced optical absorption in visible light region

著者 (4件)： Zhan Li-Bo (College of Physics and Engineering, Qufu Normal University, Qufu 273165, People’s Republic of China) ,  Yang Chuan-Lu (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, People’s Republic of China) ,  Wang Mei-Shan (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, People’s Republic of China) ,  Ma Xiao-Guang (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Ludong University, Yantai 264025, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 530  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D XBiSe_3(X=As,Sb)単分子層の配置と特性を第一原理計算によって予測した。動的および熱的安定性は,それぞれフォノン分散およびab initio分子動力学シミュレーションにより確認した。得られた構造を用いてバンドギャップとバンド端,状態密度,光吸収,移動度を計算した。バンド構造と光吸収に及ぼす歪工学の効果も調べた。結果は,AsBiSe_3とSbBiSe_3単分子層が,それぞれ1.2eV(HSE06)/1.43eV(GW)と1.1eV(HSE06)/1.32eV(GW)の間接ギャップを持つことを明らかにした。XBiSe_3単分子層の高い電子(約105cm2V-1s-1)と正孔(約104cm2V-1s-1)移動度がジグザグとアームチェア方向で観察され,明らかな異方性が観測された。UV-可視光領域における強い光吸収を2つの単分子層に対して同定した。興味深いことに,AsBiSe_3単分子層のバンド端は,-4%の二軸圧縮歪の下で水の酸化還元電位を延ばすことができ,この単分子層が,水素を生産するための光触媒水分解の候補材料として使用できることを意味する。すべての結果は,XBiSe_3単分子層が,光電子,光触媒,および光起電力分野での応用の可能性を有するという主張を支持した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  光起電力 ,  正孔 ,  *光吸収 ,  水素 ,  酸化還元電位 ,  *単分子層 ,  状態密度 ,  *二次元 ,  光触媒 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *可視領域 ,  圧縮歪 ,  第一原理計算 ,  バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単分子層 ,  バンドギャップ ,  モビリティ ,  光吸収 ,  歪工学

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (8件)： 可視光領域 ,  異方性 ,  移動度 ,  増強 ,  光吸収 ,  2D ,  Sb ,  単分子層