GdPb_1-xMo_6S_8(x=0.5,0.7,0.9)超伝導体における温度の関数としての電気抵抗率の特徴【JST・京大機械翻訳】

Terekhov A. V.; Zolochevskii I. V.; Ischenko L. A.; Zaleski A.; Khlybov E. P.; Lachenkov S. A.

文献

J-GLOBAL ID：202002258851360586 整理番号：20A2474704

GdPb_1-xMo_6S_8(x=0.5,0.7,0.9)超伝導体における温度の関数としての電気抵抗率の特徴【JST・京大機械翻訳】

Features of the electrical resistivity as a function of temperature in GdPb_1-xMo₆S₈ (x = 0.5, 0.7, and 0.9) superconductors

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資料名：
巻： 46 号： 10 ページ： 1004-1009 発行年： 2020年
JST資料番号： E0706A ISSN： 1063-777X CODEN： LTPHEG 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電気抵抗率のρ(T)と磁場ρ(H)の温度依存性を,化合物Gd_xPb_1-xMo_6S_8(x=0.5,0.7,0.9)において,温度範囲2~300K,磁場9Tまで研究した。磁場がない場合,化合物Gd_0.9Pb_0.1Mo_6S_8とGd_0.7Pb_0.3Mo_6S_8は,いくつかの温度範囲でρ(T)(Gd_0.9Pb_0.1Mo_6S_8に対して最大と最小)とGd_0.7Pb_0.3Mo_6S_8に対する変曲を示した。Gd_0.5Pb_0.5Mo_6S_8のρ(T)依存性は調べた全温度範囲で単調であった。小さな正の磁気抵抗(2%まで)の存在を確立し,それは特徴がある温度でピークになった。研究した温度範囲における磁化M(T)の依存性は,長距離磁気変換に関連した特徴を持たないことを示した。Gd_0.9Pb_0.1Mo_6S_8とGd_0.7Pb_0.3Mo_6S_8のρ(T)に沿った特徴は,バンド構造再配列と,電気抵抗率の温度依存性の半導体と金属挙動の原因となる2つの電荷キャリアチャネルの出現に起因する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の磁性 , 酸化物系超伝導体の物性

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