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J-GLOBAL ID：202002258937386940   整理番号：20A1030117

ZnIn_2Te_4薄膜の電気的および誘電的パラメータの温度および周波数に対する応答【JST・京大機械翻訳】

Response of electrical and dielectric parameters of ZnIn₂Te₄ thin films to temperature and frequency

著者 (3件)： Shakra A.M. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt) ,  Fadel M. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt) ,  Shenouda S.S. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, Cairo, Egypt)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 586  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnIn_2Te_4を,融液と徐々に冷却法によりバルク形で合成した。次に,熱蒸着薄膜を異なる厚さ(173~385nm)で調製した。X線回折は,作製した膜に対してX線非晶質構造を示した。エネルギー分散X線を用いて調製した材料の組成を評価した。dcとac伝導率の温度依存性を303~413Kの範囲で調べた。dc伝導率はMottとDavisモデルに従い,この温度範囲で二つの伝導機構を持つ半導体挙動を示した。次に,ac伝導率と誘電パラメータの周波数依存性を1kHz~1MHzの範囲で調べた。非親密原子価交替対の中心間の相関障壁ホッピングは,周波数に対するac伝導率の応答を記述する機構である。誘電損失と誘電定数は温度の上昇と周波数の減少と共に増加した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  誘電損失 ,  誘電率 ,  温度依存性 ,  周波数依存性 ,  原子価 ,  エネルギー散逸
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  融液 ,  非晶質構造 ,  伝導機構 ,  伝導率 ,  相関障壁ホッピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnIn_2Te_4 ,  薄膜 ,  伝導率 ,  誘電パラメータ

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  パラメータ ,  応答