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J-GLOBAL ID：202002259002988424   整理番号：20A0394653

自己集合Snナノスレッドを用いたサブテラヘルツFET検出器【JST・京大機械翻訳】

Sub-terahertz FET detector with self-assembled Sn-nanothreads

著者 (23件)： Ponomarev D S (Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, RAS, Moscow 117105, Russia) ,  Ponomarev D S (Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia) ,  Ponomarev D S (Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia) ,  Lavrukhin D V (Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, RAS, Moscow 117105, Russia) ,  Lavrukhin D V (Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia) ,  Yachmenev A E (Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, RAS, Moscow 117105, Russia) ,  Yachmenev A E (Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia) ,  Khabibullin R A (Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, RAS, Moscow 117105, Russia) ,  Khabibullin R A (Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia) ,  Khabibullin R A (Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia) ,  Semenikhin I E (Institute of Physics and Technology RAS, Moscow 117218 Russia) ,  Vyurkov V V (Institute of Physics and Technology RAS, Moscow 117218 Russia) ,  Marem’yanin K V (FRC Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod 603950, Russia) ,  Marem’yanin K V (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod 603950, Russia) ,  Gavrilenko V I (FRC Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod 603950, Russia) ,  Gavrilenko V I (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod 603950, Russia) ,  Ryzhii M (Department of Computer Science and Engineering, University of Aizu, Aizu-Wakamatsu 965-8580, Japan) ,  Shur M (Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, United States of America) ,  Shur M (Electronics of the Future, Inc., Vienna, VA 22181, United States of America) ,  Otsuji T (Research Institute for Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ryzhii V (Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics, RAS, Moscow 117105, Russia) ,  Ryzhii V (Moscow Institute of Physics and Technology, Dolgoprudny 141700, Russia) ,  Ryzhii V (Research Institute for Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 7  ページ： 075102 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsチャネルに埋め込まれた自己集合Sn-ナノスレッド(Sn-NTs)により生成された埋め込まれた準二次元電子ガスを持つGaAsゲート電界効果トランジスタを用いたサブテラヘルツ(サブTHz)検出器の設計,評価および作製について報告する。このGaAs-Sn-NT検出器は低温および室温(それぞれCTおよびRT)でサブTHz放射を効率的に検出する。二つの可能な検出機構は,サブTHz放射による電子加熱と減衰したプラズモン振動の整流に関連する機構によるボロメータ機構である。Poisson方程式と電子状態密度を含むボロメータ検出の古典的自己無撞着デバイスモデルを開発し,検出器の応答性と雑音等価パワーを推定した。測定したI-V特性およびCTおよびRTにおける入射サブTHz放射に対する光応答は,著者らのモデルと合理的に一致した。検出器は半導体ベースの熱電子ボロメータおよび量子井戸/ドットIRおよびTHz光検出器よりも優れた性能を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Poisson方程式 ,  FET【トランジスタ】 ,  *自己集合 ,  ヒ化ガリウム ,  雑音 ,  光検出器 ,  二次元電子ガス ,  ボロメータ ,  電流電圧特性 ,  半導体 ,  プラズモン ,  低温 ,  応答特性 ,  固体素子モデル ,  量子井戸

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己集合 ,  Sn ,  スレッド ,  サブテラヘルツ ,  FET ,  検出器