文献

J-GLOBAL ID：202002259126475842   整理番号：20A1746630

アセチル化ガリウム源溶液を用いたミスト化学蒸着によるサファイア基板上のα-Ga_2O_3の成長機構【JST・京大機械翻訳】

Growth mechanism of α-Ga₂O₃ on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions

著者 (3件)： Uno Kazuyuki (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Ohta Marika (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan) ,  Tanaka Ichiro (Faculty of Systems Engineering, Wakayama University, Wakayama 640-8510, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 5  ページ： 052106-052106-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-Ga_2O_3は酸化ガリウム(Ga_2O_3)の準安定相であり,太陽ブラインド領域光電子デバイスへの応用に重要である。高品質のα-Ga_2O_3薄膜を,ミスト化学蒸着(mist-CVD)によって成長することができた。アセチルアセトナートGa源溶液を用いて,ミストCVDによるα-Ga_2O_3の成長メカニズムを系統的に研究した。アセチルアセトナート配位子が表面ヒドロキシルに固着し,Ga-O結合が配位子交換機構により形成される,ミストCVDにおけるα-Ga_2O_3の成長機構を提案した。成長したα-Ga_2O_3薄膜中の酸素原子の起源と不純物濃度プロファイルを二次イオン質量分析により調べた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽 ,  薄膜 ,  *ガリウム ,  アセチル化 ,  準安定相 ,  配位子交換 ,  酸化ガリウム ,  *化学蒸着 ,  *ミスト ,  薄膜成長 ,  不純物濃度 ,  *サファイア基板 ,  高品質 ,  酸素原子 ,  ミストCVD
準シソーラス用語： 光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： アセチル化 ,  ガリウム ,  溶液 ,  ミスト ,  化学蒸着 ,  サファイア基板 ,  成長