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J-GLOBAL ID：202002259141977325   整理番号：20A2439384

CaRuO_3薄膜におけるエピタキシャル歪依存電極触媒活性【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial strain dependent electrocatalytic activity in CaRuO₃ thin films

著者 (7件)： Lee Jegon (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, South Korea) ,  Jun So-Yeon (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, South Korea) ,  Choi Taekjib (Hybrid Materials Research Center, Department of Nanotechnology and Advanced Materials Engineering, Sejong University, Seoul 05006, South Korea) ,  Jung Donggeun (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, South Korea) ,  Bae Jong-Seong (Busan Center, Koraea Basic Science Institute, Busan 46742, South Korea) ,  Lee Sang A (Department of Physics, Pukyong National University, Busan 48513, South Korea) ,  Choi Woo Seok (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 16  ページ： 163906-163906-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電極触媒活性の系統的同調性は,高効率触媒の実現だけでなく,表面での化学反応の根底にある機構を理解するためにも不可欠である。エピタキシャル歪は,電極触媒活性を含むペロブスカイト遷移金属酸化物の種々の物理的および化学的性質を調整するための強力なツールである。モデル系として単結晶CaRuO_3エピタキシャル薄膜を提示し,そこでは酸素発生反応をエピタキシャル歪によって系統的に制御した。引張歪の程度の増加とともに,Ru-O結合内のバンド間遷移エネルギーとハイブリダイゼーション強度は減少し,それは酸素発生反応を強化した。本研究は,格子/電子構造と電極触媒活性の間の相関の理解を促進し,他の遷移金属酸化物触媒に適用できる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  単結晶 ,  電子構造 ,  *薄膜 ,  化学反応 ,  同時性
準シソーラス用語： 高効率 ,  バンド間遷移 ,  引張歪 ,  酸素発生反応 ,  遷移金属酸化物 ,  *電極触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  エピタキシャル ,  歪 ,  電極触媒活性