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J-GLOBAL ID：202002259194206068   整理番号：20A1206597

スピン-軌道結合を持つAg(111)担持シリセンにおける空孔欠陥散乱【JST・京大機械翻訳】

Vacancy defect scattering in Ag(111)-supported silicene with spin-orbit coupling

著者 (3件)： Yang Dongjing (Department of Physics, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, PR China) ,  Liu Bin (Department of Physics, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, PR China) ,  Lu Yanwu (Department of Physics, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, PR China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 120  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子移動度における空格子点欠陥散乱をAg(111)基板上の2Dシリセンシートについて調べた。空格子点欠陥電荷と外部電場の静電ポテンシャルの効果を考慮した。空孔欠陥の電子散乱に及ぼすスピン-軌道結合補正の影響を解析した。計算結果は,電子移動度における空孔欠陥の役割がエネルギー,空格子点密度,真空層厚,および垂直外部電場強度に依存することを示した。結果は,シリセンシートにおける空孔欠陥によって制限された移動度が10~4~10~5cm~2/Vの範囲で維持され,それは実験値に匹敵することを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *散乱 ,  電荷 ,  二次元 ,  電子散乱 ,  層厚 ,  電界強度
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  静電ポテンシャル ,  外部電場 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ag(111)担持シリコーン ,  空格子点欠陥 ,  スピン-軌道結合 ,  Electronの移動性

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピン-軌道結合 ,  Ag ,  担持 ,  シリセン ,  空孔欠陥 ,  散乱