二次元水素化バックル化ガリウム:ab initio研究【JST・京大機械翻訳】

Gonzalez-Garcia A; Gonzalez-Garcia A; Lopez-Perez W; Gonzalez-Hernandez R; Gonzalez-Hernandez R; Rivera-Julio J; Rivera-Julio J; Espejo C; Milosevic M V; Peeters F M

文献

J-GLOBAL ID：202002259239150783 整理番号：20A0419575

二次元水素化バックル化ガリウム:ab initio研究【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional hydrogenated buckled gallium arsenide: an ab initio study

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資料名：
巻： 32 号： 14 ページ： 145502 (9pp) 発行年： 2020年
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

第一原理計算を行い,三つの可能な形状を持つ二次元(2D)水素化GaAsの安定性,構造及び電子特性を調べた。2D H-GaAs系に対するvan der Waals相互作用の効果も調べた。これらの配置は,半導体特性を有するだけでなく,エネルギー的で動的安定であることが分かった。Hで吸着した2D GaAsはジグザグ線配置を形成する傾向があるが,椅子,ジグザグ線およびボート間のエネルギー差は非常に小さく,システムの準安定性を意味する。椅子とボートの構成は直接バンドギャップ特性を示し,一方,元の2D-GaAsとジグザグ線は間接半導体である。すべての配置のバンドギャップサイズは水素依存性で,PBEとH汎関数の両方を持つ元の2D-GaAsのそれより広い。DFT-vdW相互作用は吸着エネルギーを増加させ,H-GaAs系の平衡距離を減少させるが,定性的には,PBE汎関数を持つ著者らの研究した系の安定性と電子特性に関する物理的結果を定性的に示した。著者らの結果によると,2Dバックルヒ化ガリウムは,そのグループIII-Vパートナー2Dバックリング窒化ガリウムと窒化ホウ素として水素表面不動態化によって合成される良い候補である。2D-GaAsの水素化は,元の2D-GaAsのバンドギャップを同調させ,それは可視電磁スペクトルの青色および紫外領域におけるオプトエレクトロニクス応用の可能性のある候補となる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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