文献

J-GLOBAL ID：202002259459834824   整理番号：20A0957949

AlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタのためのSiN_xとAlN不動態化の研究:界面トラップと分極電荷の役割【JST・京大機械翻訳】

Investigation of SiN_x and AlN Passivation for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors: Role of Interface Traps and Polarization Charges

著者 (7件)： Yang Song (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Tang Zhikai (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Hua Mengyuan (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Zhang Zhaofu (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Wei Jin (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Lu Yunyou (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 8  ページ： 358-364  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非晶質SiN_xと単結晶様AlNにより不動態化したAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の機構とスイッチング特性を研究した。電流崩壊に及ぼす界面トラップと分極電荷の影響をTCADシミュレーションと実験的特性化により調べた。表面/界面の深い準位は,不動態化/ヘテロ構造界面における浅いドナー様トラップ(SiN_x不動態化)と分極電荷(AlN不動態化)の両方により補償できるが,高速スイッチング条件下では異なるレベルの有効性がある。SiN_x不動態化は短い時間定数をもつ浅いドナー様トラップ状態を導入し,それはアクセス領域における捕獲電子の高速放出に好都合であり,電流崩壊を抑制したが,動的オン抵抗のより厳しい時間依存回復を示した。AlN不動態化に対しては,界面トラップは固定正分極電荷により補償され,オフ状態空乏領域(2DEGチャネル内)は主に電場効果により形成され,HEMTデバイスのオン状態へのスイッチング後の高チャネル電子濃度の即時蓄積とドレイン電流のゲートとドレインバイアスへの瞬時応答をもたらした。フィールドプレート構造は,電流崩壊抑制と電場緩和の両方のためのSiN_x不動態化デバイスにおいて必要である。AlN不動態化により,電流崩壊の懸念なしに,ゲート信頼性に対するより均一な電場分布を達成するために,フィールドプレートを設計することができる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *界面 ,  シミュレーション ,  電場 ,  電流 ,  *不動態化 ,  *窒化アルミニウム ,  深い準位 ,  HEMT ,  二次元電子ガス ,  オン抵抗
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *界面トラップ ,  ドレイン電流 ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 数値計算  (JE02000J) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (10件)： AlGaN ,  GaN ,  移動度 ,  トランジスタ ,  AlN ,  不動態化 ,  研究 ,  界面トラップ ,  分極電荷 ,  役割