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J-GLOBAL ID：202002259487501836   整理番号：20A1523227

BaHfO_3ナノロッドにより誘起された格子歪のSmBa_2Cu_3O_y膜に対する影響【JST・京大機械翻訳】

Effect on SmBa₂Cu₃O _y films of lattice strain induced by BaHfO₃ nanorods

著者 (5件)： Ichino Yusuke (Department of Electrical and Electronics Engineering, Aichi Institute of Technology, 1247 Yachigusa, Yakusa-cho, Toyota, 470-0392, Japan) ,  Ichino Yusuke (Department of Electrical Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Sato Shun (Department of Electrical Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Tsuchiya Yuji (Department of Electrical Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Yoshida Yutaka (Department of Electrical Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, 464-8603, Japan)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 575  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaMO_3(BMO,M=Zr,Sn,Hfなど)は気相エピタキシーにより成長したREBCO膜において多くのナノロッドに自己組織化することが知られている。しかし,REBCOはBMOナノロッドから生じる歪を経験し,この歪は超伝導特性を劣化させる。本研究では,パルスレーザ蒸着法を用いて16vol%BaHfO_3(BHO)を含むSmBCO膜を作製した。堆積は低温成長(LTG)技術を用いて行い,低基板温度でも膜を成長させた。基板温度を下げることにより,磁場中の臨界電流密度と不可逆性線から推定されるBHOナノロッドの数密度は増加し,それらの直径は減少した。SmBCOとBHOで発揮された格子歪は,実質的なBHO含有量のため,従来のX線回折によって便利に評価できた。この評価は,基板温度が減少すると,SmBCOに働く引張歪は減少したが,BHOによって経験した圧縮歪は増加したことを示した。これらの結果は,REBCOに及ぼす狭いナノロッドによる応力運動の影響が小さいことを示した。著者らの知見は,LTGが,これらのナノロッドが誘起する少量の応力のために,BMOナノロッドの高い数密度を有するREBCO膜を調製するための有効な技術であることを示唆する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  気相成長 ,  *格子歪 ,  磁場 ,  超伝導 ,  臨界電流 ,  薄膜成長 ,  自己組織化 ,  基板温度 ,  臨界電流密度 ,  *ナノロッド ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  低温成長 ,  引張歪 ,  REBCO , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： REBa_2Cu_3O_y ,  BaHfO_3 ,  薄膜 ,  ナノロッド ,  臨界電流

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  超伝導材料  (BM04041W)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノロッド ,  誘起 ,  格子歪