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J-GLOBAL ID：202002259566995092   整理番号：20A2522644

高速および低電力WSe_2電界効果トランジスタの界面抵抗に及ぼすLiインターカレーション効果【JST・京大機械翻訳】

Li Intercalation Effects on Interface Resistances of High-Speed and Low-Power WSe₂ Field-Effect Transistors

著者 (12件)： Shin Yong Seon (Department of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Lee Kiyoung (Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon-si, 443-803, Republic of Korea) ,  Duong Dinh Loc (Nanostructure Physics (CINAP), Institute for Basic Science (IBS), Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Jun Seok (Department of Energy Science, Department of Physics, and Center for Integrated Nanostructure Physics (CINAP), Institute for Basic Science (IBS), Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Kang Won Tae (Department of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Ji Eun (Department of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Won Ui Yeon (Department of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Lee Ilmin (Department of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Lee Hyangsook (Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon-si, 443-803, Republic of Korea) ,  Heo Jinseong (Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon-si, 443-803, Republic of Korea) ,  Lee Young Hee (Department of Energy Science, Department of Physics, and Center for Integrated Nanostructure Physics (CINAP), Institute for Basic Science (IBS), Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea) ,  Yu Woo Jong (Department of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon-si, 16419, Republic of Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 45  ページ： e2003688  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Van der Waals(vdW)層状材料は次世代電界効果トランジスタ(FET)のための有望なチャネル材料である。しかし,vdW層状材料FETにおいて,vdW界面でのSchottky障壁とトンネル障壁は,電気接点における電子注入効率を著しく減少させ,それによって高速かつ低電力FETの開発を制限する。本研究は,vdW界面での層間挿入されたリチウム(Li)イオンが,Liの低いポテンシャルエネルギーとインターカレーションからの穏やかな電子ドーピングにより,多層タングステンジセレニドFETの電気的接触におけるSchottkyとトンネル障壁を低下させ,その結果,vdW界面での抵抗を減少させ,電流と電界効果移動度を増強することを示した。前Liインターカレーションと比較して,多層WSe_2平面FETは,V_GS=50Vで≒1000倍高い電流(I_DS=17.8μA),≒110倍高い最大電界効果移動度(μ_FE=97.67cm2V-1s-1),およびオン/オフ電流比(オン/オフ比=≒107)で≒1000倍高い。さらに,電流密度とほぼ同じ構造強度を持つvdWヘテロ構造を有する多層WSe_2垂直FETにおいて,グラフェン/WSe_2vdW界面での層間挿入Liイオンは,電流密度と垂直移動度を,それぞれ,約20倍(1.00Acm-2)と10倍(2.52×10-4cm2V-1s-1)に改善した。本研究では,高速かつ低電力多層vdW材料FETを開発するためのvdW界面での抵抗を低減する方法を確立した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  イオン ,  *界面 ,  電流 ,  *リチウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  ポテンシャルエネルギー ,  電流密度 ,  電気接点 ,  *インターカレーション ,  グラフェン
準シソーラス用語： 電子注入 ,  電界効果移動度 ,  ヘテロ構造 ,  トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電界効果トランジスタ ,  界面抵抗 ,  Liインターカレーション ,  Schottky障壁 ,  WSe_2

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電力 ,  電界効果トランジスタ ,  界面抵抗 ,  Li ,  インターカレーション