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J-GLOBAL ID：202002259617214097   整理番号：20A0810214

SOIナノ導波路におけるCW Raman増幅器の数値解析【JST・京大機械翻訳】

Numerical Analysis of CW Raman Amplifier in Silicon-on-Insulator Nano-Waveguides

著者 (3件)： Khaleefa Z S (College of Science for Women, Physics Department, University of Baghdad, IRAQ) ,  Mahdi Sh S (College of Science for Women, Physics Department, University of Baghdad, IRAQ) ,  Yaseen S Kh (College of Science for Women, Physics Department, University of Baghdad, IRAQ)
資料名： IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  (IOP Conference Series: Materials Science and Engineering)
巻： 757  号： 1  ページ： 012022 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5559A  ISSN： 1757-8981  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン-オン-絶縁体(SOI)ナノ導波路における連続波(CW)オン-オフ光学Raman利得の数値解析を研究した。2種類の導波路構造リブとストリップ導波路を組み込んだ。導波路構造は高さ220nmに設計した。(350,450,1000)nmの3つの異なる幅を研究した。1550nmの通信波長では,Raman増幅はリブSOI導波路で約65dBと計算された。得られたRaman増幅は比較的低いポンプパワーで報告された値である。SOIナノ導波路における高Raman利得増幅は集積オンチップ光電子デバイスに向けて重要なステップを示す。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *増幅器 ,  連続波 ,  電波 ,  *導波路 ,  *数値解析 ,  絶縁体
準シソーラス用語： オンチップ ,  *Raman増幅 ,  ストリップ導波路 ,  Raman利得 ,  *ナノ導波路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  ナノ導波路 ,  CW ,  Raman増幅器 ,  数値解析