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J-GLOBAL ID：202002259636500483   整理番号：20A0863920

PbTe合金の微量ビスマスおよびヨウ素共ドーピング強化熱電性能【JST・京大機械翻訳】

Trace bismuth and iodine co-doping enhanced thermoelectric performance of PbTe alloys

著者 (13件)： Zhang Kaiqi (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Wang Hongchao (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Su Wenbin (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Wang Teng (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Wang Xue (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Chen Tingting (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Huo Taichang (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Dang Feng (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Dong Mengyao (Key Laboratory of Materials Processing and Mold (Zhengzhou University), Ministry of Education, National Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, Zhengzhou University, Zhengzhou, People’s Republic of China) ,  Dong Mengyao (Integrated Composites Laboratory (ICL), Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of Tennessee, Knoxville, TN, United States of America) ,  Wang Chunlei (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Dong Binbin (Key Laboratory of Materials Processing and Mold (Zhengzhou University), Ministry of Education, National Engineering Research Center for Advanced Polymer Processing Technology, Zhengzhou University, Zhengzhou, People’s Republic of China) ,  Guo Zhanhu (Integrated Composites Laboratory (ICL), Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of Tennessee, Knoxville, TN, United States of America)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 24  ページ： 245501 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルル化鉛(PbTe)は中間温度帯における優れた熱電材料であり,深宇宙探査,廃熱回収および他の分野に適用されてきた。しかし,n型PbTe合金の低い熱電変換効率はその応用を制限する。ここでは,微量ビスマス(Bi)とヨウ素(I)の共ドーピングにより,n型PbTe合金の熱電性能を向上させた。Pb_1-xBi_xTe_1-xi_x(x=0.00%,0.05%,0.10%,0.20%および0.50%)合金を,段階的合成法により単相化合物中で合成した。キャリア濃度は10~19cm-3の範囲内で最適濃度範囲に達した。最高の絶対Seebeck係数244μV/Kが,730Kで0.05%ドープ合金で得られた。最も高い絶対Seebeck係数は,特に低および中温度範囲において,0.05%ドープに対して高い力率をもたらした。最高の力率~25μW K~-2cm-1が329Kで得られた。複雑なミクロスケール結晶粒界と点欠陥はフォノン散乱を強く増加させ,それからx=0.50%に対して674Kで0.64W mK-1の最低格子熱伝導率をもたらし,元のPbTeのそれより26%低い。結果として,最高性能指数zT~0.9を,725Kで0.20%ドープ試料において決定した。さらに,最高の平均性能指数zT_ave~0.7を,323~723Kの温度範囲で0.05%ドープ試料において達成した。これは,単一BiまたはIドープPbTe試料に対して報告されたものより約2倍または3倍高い。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  *合金 ,  点欠陥 ,  *ビスマス ,  力率 ,  熱電気変換 ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  *テルル化鉛 ,  単相 ,  熱電材料
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  フォノン散乱 ,  *共ドーピング ,  格子熱伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ビスマス ,  ヨウ素 ,  共ドーピング ,  強化