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J-GLOBAL ID：202002259653107233   整理番号：20A0915382

二重材料ゲートナノシート電界効果トランジスタの設計最適化【JST・京大機械翻訳】

Design Optimization of Dual Material Gate Nano Sheet Field Effect Transistors

著者 (2件)： Joung Saehoon (Samsung Electronics Co., Yield Enhancement Process Integration Engineering Group,Foundry Division,Republic of Korea) ,  Kim SoYoung (Sngkyunkwan University,Department of Electrical and Computer Engineering,Suwon,Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICEIC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,ナノシートトランジスタは,現在のFinFET技術の限界を克服するために多くの注目を集めている。ナノシートトランジスタの性能をさらに向上させるために,2つの異なる仕事関数を持つ金属ゲート材料からなる新しいデバイスを提案した。この方法により,ドレイン側の電界変化を低減し,より短いチャネル効果抵抗をもつ素子を作ることができる。さらに,2つの材料を用いたとき,最も最適なデバイス特性改善を提供する仕事関数の組合せを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  *電場 ,  *トランジスタ ,  複合材料 ,  *FET【トランジスタ】 ,  チャネル ,  *ナノシート
準シソーラス用語： FinFET ,  メタルゲート ,  *設計最適化 ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重材料 ,  ゲート ,  ナノシート ,  電界効果トランジスタ ,  設計最適化