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J-GLOBAL ID：202002259776899281   整理番号：20A1088093

Si/SiO₂/SiO_x構造を持つ導波路モードセンサチップ

Waveguide-mode Sensor Chip with Si/SiO₂/SiO_x Structure

著者 (5件)： YASUURA Masato (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  UENO Koji (C&I Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  ASHIBA Hiroki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NAKAYA Yuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FUJIMAKI Makoto (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 32  号： 4 (3)  ページ： 1567-1576  発行年： 2020年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導波モードセンサは,高感度の平面導波路チップの表面上の複素屈折率の変化を検出する。Si/SiO₂構造を持つ導波モードセンサチップを開発した。シミュレーションから,平面導波路の最外部表面に加えた高屈折率の第三層が導波路モードセンサの感度を改善することを予測した。本研究では,スパッタリング堆積によりSi/SiO₂/SiO_x構造を持つホウケイ酸ガラス基板チップを設計,作製し,導波路モードセンサチップの感度を改善した。Si/SiO₂/SiO_x構造チップは,Si/SiO₂構造チップよりも屈折率変化に対して約1.5倍敏感であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *導波モード ,  *複素屈折率 ,  *超小形回路 ,  平面導波路 ,  感度 ,  高感度 ,  スパッタリング ,  薄膜成長 ,  *酸化ケイ素
準シソーラス用語： *センサチップ ,  *酸化シリコン

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N)

引用文献 (22件)：

• C. Nylander, B. Liedberg, and T. Lind: Sens. Actuators 3 (1982/83) 79. http://dx.doi.org/10.1016/0250-6874(82)80008-5
• T. Liebermann and W. Knoll: Coll. Surf. A 171 (2000) 115. https://doi.org/10.1016/S0927-7757(99)00550-6
• J. N. Anker, W. P. Hall, O. Lyandres, N. C. Shah, J. Zhao, and R. P. van Duyne: Nat. Mater. 7 (2008) 442. https://doi.org/10.1038/nmat2162
• M. T. van Os, B. Menges, R. Foerch, G. J. Vancso, and W. Knoll: Chem. Mater. 11 (1999) 3252. https://doi.org/10.1021/cm991068k
• K. Sato, Y. Ohki, K. Nomura, M. Fujimaki, and K. Awazu: Nanotechnol. 22 (2011) 245503. https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/24/245503

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  SiO2 ,  導波路 ,  センサチップ