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J-GLOBAL ID：202002259937597033   整理番号：20A0916253

CMOS-MEMS三軸圧電抵抗力センサのための垂直集積二重ブリッジ設計【JST・京大機械翻訳】

Vertically Integrated Double-Bridge Design for CMOS-MEMS Tri-Axial Piezo-Resistive Force Sensor

著者 (3件)： Lee Jia-Horng (National Tsing Hua University,Department of Power Mechanical Engineering,Hsinchu,TAIWAN) ,  Yeh Sheng-Kai (National Tsing Hua University,Department of Power Mechanical Engineering,Hsinchu,TAIWAN) ,  Fang Weileun (Institute of NanoEngineering and MicroSystem, National Tsing Hua University,Hsinchu,TAIWAN)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MEMS  ページ： 693-696  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,市販のCMOSプロセスを用いた三軸ピエゾ抵抗力センサのための新しい垂直集積二重ブリッジ設計を実証した。2つの橋(固定梁)に埋め込まれた3つの独立したWheatstone橋の信号変化を測定することによって,正常およびせん断力センシング能力を達成した。提案したセンサ設計には3つのメリットがある。(1)二つの直交橋はせん断力に対する方向性センシングを可能にし,(2)二つの橋に埋め込まれた圧電抵抗器と電気ルーチングを設計し,三軸力センシング用の三つの独立したWheatstone橋を形成した。(3)センシングチップのフットプリント低減を二つのブリッジの垂直積分により達成した。測定により,三軸力センシングの実現可能性を実証し,提案した三軸力センサの感度は,それぞれ垂直力(Z軸)-0.18mV/N,せん断力(X軸)-7.46mV/N,および剪断力(Y-軸)7.26mV/Nであることを示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固定梁 ,  経路選定 ,  センサ ,  直交性 ,  *MEMS ,  剪断力 ,  CMOS
準シソーラス用語： *圧電抵抗 ,  CMOSプロセス ,  フットプリント ,  力センサ ,  *三軸 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： CMOS ,  MEMS ,  圧電抵抗 ,  力センサ ,  垂直 ,  集積 ,  ブリッジ ,  設計