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J-GLOBAL ID：202002260010720542   整理番号：20A1904907

6H-SiCの螺旋構造により誘起された3C-SiCの核形成制御【JST・京大機械翻訳】

Nucleation Control of 3C-SiC Induced by the Spiral Structure of 6H-SiC

著者 (3件)： Kawanishi Sakiko (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Miyagi, Japan) ,  Watanabe Ryo (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Miyagi, Japan) ,  Shibata Hiroyuki (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Miyagi, Japan)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 20  号： 7  ページ： 4740-4748  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重位置決め境界(DPB)フリー3C-SiCの作製のための新しいプロセスを,次の2段階を用いて,6H-SiCの貫通ねじ転位を利用することによって示した。(1)シード6H-SiC上に6つの二分子層ステップを有する螺旋構造の形成;および(2)シード上の3C-SiCの核形成。第一段階では,溶融Fe-Si合金を用いた螺旋溶解により,6層ステップ構造を形成した。6H-SiC(0001)と(0001)面上の螺旋構造の形成はBCF理論によって説明できた。第2段階では,3C-SiCの核形成と成長が6H-SiC(0001)面でのみ生じ,一方,6H-SiCのステップフロー成長が(0001)面上で観察された。異なる成長モードは,6H-SiC(0001)/合金界面でのそれよりも6H-SiC(0001)/合金界面でのより小さなステップエネルギーから生じ,それは螺旋溶解によって作製されたステップの幅から予測された。シード6H-SiC基板の連続螺旋ステップで得られた3C-SiCは,6H-SiC/3C-SiC界面でさえ,シードと同じ積層構造を有した。その結果,成長の開始から3C-SiCのDPBフリー領域を得た。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *核形成 ,  合金 ,  溶解 ,  二分子層 ,  *ヘリックス構造 ,  *炭化ケイ素 ,  位置決め ,  積層構造
準シソーラス用語： BCF理論 ,  *3C-SiC ,  *6H-SiC ,  成長モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  螺旋構造 ,  誘起 ,  3C-SiC ,  核形成