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J-GLOBAL ID:202002260038311414   整理番号:20A0005938

X線イメージングスペクトロメータとして用いるモノリシックCMOS検出器【JST・京大機械翻訳】

Monolithic CMOS detectors for use as x-ray imaging spectrometers
著者 (3件):
資料名:
巻: 11118  ページ: 1111806-10  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SRI/Sarcoffとの協力におけるSmithsonian天体物理観測所(SAO)は,10年以上にわたるX線イメージング分光計として使用することを意図したモノリシックCMOSイメージング検出器を開発してきた。この共同努力の究極の目標は,CMOS技術の利点を組み込みながら,全0.1~10keV帯域にわたってFano制限されたX線能動画素センサ(APS)検出器を製作することである。これらの利点には,低消費電力,放射線「硬度」,高レベルの統合,および非常に高い読出し速度が含まれる。大規模なFano制限CMOSイメージャは,Lynxのような大規模な「設備クラス」ミッションのために理想的である。同様に,CMOSデバイスは操作が簡単である(例えば,冷却を必要としない)ため,「SmallSat」ミッションのような小型,資源制限,X線応用に理想的である。SmallSatは,意味があるが,典型的には狭く定義された科学ミッションを実行している間,新生の技術を実証するために,より即時のopportuniを表している。SaoとSRIは,1kフォーマットのバック薄化,16μmピッチのCMOSデバイス,6トランジスタピン止め光ダイオード(6TPPD)画素,~135μV/電子感度で1kを生成した。Big最小III(BMIII)として知られている素子をX線光子計数応用のために最適化した。高感度画素は,低エネルギー(100eV)X線がピクセルで巨視的電圧を生成することを保証する。検出器は,汎用性,並列性,したがって非常に高速な信号鎖を組み込んだ。これらのBMIII検出器は10μmのエピタキシャルシリコン上に作製され,画素ピッチ比は小さい。これは単一ピクセルX線イベントの数を増加させる。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 
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