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J-GLOBAL ID：202002260160642077   整理番号：20A1716304

単層カーボンナノチューブにおけるフォノン局在:13C同位体と空孔の複合効果【JST・京大機械翻訳】

Phonon localization in single wall carbon nanotube: Combined effect of ¹³C isotope and vacancies

著者 (6件)： Islam Md. Sherajul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Howlader Ashraful Hossain (School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Anindya Khalid N. (Departement de genie physique and Regroupement quebecois sur les materiaux de pointe (RQMP), Polytechnique Montreal, Montreal, Quebec H3C 3A7, Canada) ,  Zheng Rongkun (School of Physics, The University of Sydney, Sydney, NSW 2006, Australia) ,  Park Jeongwon (School of Electrical Engineering and Computer Science, University of Ottawa, Ottawa, Ontario K1N 6N5, Canada) ,  Hashimoto Akihiro (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Fukui 910-8507, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 4  ページ： 045108-045108-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一壁カーボンナノチューブのフォノン特性に及ぼす13C同位体ドーピングと空孔の複合効果を強制振動法を用いて理論的に調べた。フォノン状態密度(PDOS)を全(0%~100%)13C同位体含有量と広い(0%~30%)空孔濃度に対して計算した。同位体含有量の増加とともにPDOSにおけるRaman活性E_2gピークの赤方偏移を見出し,一方,E_2gピークの消失と複合欠陥の増加を伴う低エネルギー領域における新しい鋭いピークの出現を見出した。13C同位体と複合欠陥の両方が高エネルギー光学フォノンの局在化を引き起こす。同位体と空孔の存在下で局在化現象を詳細に可視化するために,面内縦光学フォノンに対する典型的なモードパターンを計算した。計算した平均局在化長は,13C同位体濃度の増加に伴う非対称挙動を示し,これは単層グラフェンの13C同位体依存性局在化長さと良く一致した。典型的な局在化長は,70%の同位体濃度で~1nmのオーダーであると注目した。13C同位体と空孔の複合効果は,欠陥密度の増加と共に,突然減少する局在化長を示した。これらの結果は,局所フォノンエネルギーがマッピングできるカーボンナノチューブ中の先端増強Ramanスペクトルのようなナノスケール振動研究と同様に熱伝導を理解するために重要である。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  赤方偏移 ,  *同位体 ,  熱伝導 ,  *フォノン ,  非対称性 ,  可視化 ,  ドーピング ,  複合欠陥 ,  欠陥密度 ,  *カーボンナノチューブ ,  *単層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  ナノスケール ,  単層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  同位体分離  (CB10030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層カーボンナノチューブ ,  フォノン ,  同位体 ,  空孔 ,  複合効果