高電圧大電流垂直形状Ga_2O_3整流器【JST・京大機械翻訳】

Xian Minghan; Fares Chaker; Carey Patrick; Ren Fan; Tadjer Marko; Liao Yu-Te; Chang Chin-Wei; Lin Jenshan; Sharma Ribhu; Law Mark E.; Raad Peter E.; Komarov Pavel L.; Islam Zahabul; Haque Aman; Kuramata Akito; Pearton S. J.

文献

J-GLOBAL ID：202002260190932680 整理番号：20A1020657

高電圧大電流垂直形状Ga_2O_3整流器【JST・京大機械翻訳】

High-voltage high-current vertical geometry Ga₂O₃ rectifiers

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資料名：
巻： 11281 ページ： 112810J-11 発行年： 2020年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高電圧スイッチング応用のための垂直形状Ga_2O_3の急速な発展が続いている。GA_2O_3は,その大きなバンドギャップ,制御可能なドーピング,および大きな直径,比較的安価な基板の利用可能性のために,既存の技術を超える能力を有するパワーエレクトロニクスのあるクラスの実行可能な候補として出現している。これらは,航空機と電気船のパルスパワー,重電動機のための固体運転者,および高度な電力管理と制御エレクトロニクスを含む電力調整システムを含んでいる。性能がSiCの理論値を超える場合がある。既存のSi,SiC(垂直素子)およびヘテロエピタキシャルGaN(横方向素子)は,プロセスの成熟度,特にSiに対して真の利点を有し,材料を正確に処理する能力が,単極性限界を超える超接合のようなデバイスをもたらした。低欠陥基板の継続的開発,最適化エピ成長と表面処理,およびGa_2O_3のための改良されたデバイス設計と処理方法は,それらの理論値に近い実験結果を押すためにまだ必要である。1016cm-3のドーピング濃度をもつ3μmのエピ層でも,約1800Vの理論的破壊電圧を持つべきである。VBの実際の実験値は,現在,理論的予測の下にある。熱管理は,実用的な高電流デバイスのためのGa_2O_3パワーデバイスにおける重要な問題であり,初期の研究は,実験的および理論的フロントの両方に関して現れた。エッジ終端設計における進歩,熱反射率に基づくサーモグラフィーを用いた温度測定を要約し,活性ダイオードの熱的上昇と減衰,順方向バイアス下での故障,および大電流(130Aまで)アレイの発展を測定した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 発光素子

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