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J-GLOBAL ID：202002260442904992   整理番号：20A0910305

極端な曲げ条件を持つ高性能ギガヘルツフレキシブル無線周波数トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High Performance Gigahertz Flexible Radio Frequency Transistors with Extreme Bending Conditions

著者 (11件)： Wang Mengfei (Peking University,Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MoE),Beijing,100871) ,  Huang Ru (Peking University,Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MoE),Beijing,100871) ,  Wu Yanqing (Peking University,Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MoE),Beijing,100871) ,  Tian Mengchuan (Huazhong University of Science and Technology,Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Electrical and Electronic Engineering,Wuhan,China,430074) ,  Zhang Zhenfeng (Huazhong University of Science and Technology,Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Electrical and Electronic Engineering,Wuhan,China,430074) ,  Li Shengman (Peking University,Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MoE),Beijing,100871) ,  Wang Runsheng (Peking University,Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MoE),Beijing,100871) ,  Gu Chengru (Huazhong University of Science and Technology,Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Electrical and Electronic Engineering,Wuhan,China,430074) ,  Shan Xiaoyu (Huazhong University of Science and Technology,Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Electrical and Electronic Engineering,Wuhan,China,430074) ,  Xiong Xiong (Peking University,Institute of Microelectronics and Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MoE),Beijing,100871) ,  Li Xuefei (Huazhong University of Science and Technology,Wuhan National High Magnetic Field Center and School of Electrical and Electronic Engineering,Wuhan,China,430074)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： IEDM  ページ： 8.2.1-8.2.4  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,200°C以下の熱収支でマグネトロンスパッタリングを用いて,反転ゲート構造を柔軟なポリイミド基板と共に用いる,超薄酸化インジウムスズ(ITO)無線周波数(RF)トランジスタを初めて実証した。160nmチャネル長素子は,26cm~2/Vの移動度と6.6~8のI_on/I_off比を含む優れたDC特性を示した。2.1GHzの記録的に高い外因性カットオフ周波数(f_T)と3.7GHzの外因性最大発振周波数(f_max)も得られ,これはフレキシブル基板上の以前の結果より1桁以上高い。柔軟なITO RFトランジスタに基づくギガヘルツ周波数ミキサに対して,-20.9dBの高い変換利得を達成した。さらに,50,000曲げサイクルまたは1mm曲げ半径までの異なる曲げ条件下でのDCおよびRF性能の安定性を,デバイス破壊なしで研究した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  *トランジスタ ,  ポリイミド ,  熱収支 ,  遮断周波数 ,  マグネトロンスパッタリング ,  酸化インジウムスズ ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： チャネル長 ,  変換利得 ,  *無線周波数 ,  曲げ半径 ,  最大発振周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 曲げ ,  高性能 ,  ギガヘルツ ,  無線周波数 ,  トランジスタ