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J-GLOBAL ID：202002260511145136   整理番号：20A1088083

パルス電子ビームを用いたTlBr結晶の過渡吸収分光法

Transient Absorption Spectroscopy of TlBr Crystals Using Pulsed Electron Beams

著者 (7件)： KOSHIMIZU Masanori (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MUROYA Yusa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMASHITA Shinichi (Univ. Tokyo, Ibaraki, JPN) ,  NOGAMI Mitsuhiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HITOMI Keitaro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJIMOTO Yutaka (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ASAI Keisuke (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 32  号： 4 (2)  ページ： 1445-1451  発行年： 2020年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 励起源としてパルス電子ビームを用いて,TlBr結晶の過渡吸収特性を解析した。ピコ-及びナノ秒スケールにおける過渡吸収スペクトル及び時間プロフィルを観測し,半導体検出器に適していないものと経験的に適切なTIBr結晶に対して得られた結果を比較した。結果は,2種類の結晶の間で無視できる差を示し,それらのトラップ中心濃度が類似していることを示した。過渡吸収バンドはナノ秒スケールで約1160nmで観測されたが,短波長テールはピコ秒スケールで観測された。吸収バンドは,いくつかの欠陥によって安定化されたTl⁺の局在正孔に起因した。対照的に,局在電子中心に起因する吸収バンドは観測されず,正孔輸送は欠陥により妨げられるが,電子輸送は起こらないことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子ビーム ,  *タリウム化合物 ,  *臭化物 ,  *スペクトロスコピー ,  ナノ秒 ,  ピコ秒 ,  半導体検出器 ,  密度 ,  金属イオン ,  吸収バンド ,  輸送現象
準シソーラス用語： *パルス電子ビーム ,  *臭化タリウム ,  *過渡吸収分光法 ,  トラップ密度 ,  タリウムイオン ,  正孔輸送

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

引用文献 (21件)：

• J. Nakamura, K. Kobayashi, and A. Fujii: J. Phys. Soc. Jpn. 37 (1974) 1312.
• R. Farrell, F. Olschner, K. Shah, and M. R. Squillante: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 387 (1997) 194.
• H. M. Smith III, Y. Zhou, G. Ciampi, H. Kim, L. J. Cirignano, K. S. Shah, E. E. Haller, and D. C. Chrzan: Appl. Phys. Lett. 103 (2013) 091909.
• R. Z. Bachrach and F. C. Brown: Phys. Rev. B 1 (1970) 818.
• R. Shimizu, T. Murahashi, and T. Koda: J. Phys. Soc. Jpn. 33 (1972) 866.

タイトルに関連する用語 (3件)： パルス電子ビーム ,  結晶 ,  過渡吸収分光法