文献

J-GLOBAL ID：202002260552735001   整理番号：20A0827054

非毒性酸化インジウムナノ繊維の低温作製と電界効果トランジスタへの応用【JST・京大機械翻訳】

Low-Temperature Fabrication of Nontoxic Indium Oxide Nanofibers and Their Application in Field-Effect Transistors

著者 (7件)： Ding Yanan (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Wang Chao (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Xin Zhijie (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Cui Youchao (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Wang Zhen (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Liu Guoxia (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China) ,  Shan Fukai (College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 3  ページ： 413-416  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,水誘起(WI)In_2O_3ナノファイバーを,ポリマーとしてポリ(ビニルアルコール)を用いた電気紡糸により調製した。In_2O_3ナノファイバーに基づく電界効果トランジスタ(FET)を集積し,FET性能のアニーリング依存性を調べた。380°C,1h(In_2O_3-380-1h)でアニールしたWI In_2O_3ナノファイバーに基づくFETは,1.53cm2/Vsの電界効果移動度(μ_FE)と,約8×104のオン/オフ電流比(I_ON/I_OFF)を示した。興味深いことに,280°Cで10h(In_2O_3-280-10h)アニールしたWI In_2O_3ナノファイバーに基づくFETの電気性能は,In_2O_3-380-1hに基づくFETと同程度である。低温で処理されたFETの電気性能をさらに改善するために,チャネルとしてIn_2O_3-280-10hに基づくFETと誘電体としての水性経路誘導ZrO_xを統合した。最適化FETは,5.8cm~2/Vsのμ_FE,~10~7のI_ON/I_OFF,および150mV/10年のサブ閾値スイング(SS)を示した。この非毒性で完全な水誘起アプローチは低温で柔軟な回路の作製に非常に期待されている。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  エレクトロスピニング ,  誘電体 ,  チャネル ,  *低温 ,  *酸化インジウム ,  電気特性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電流 ,  最適化 ,  ポリビニルアルコール ,  *ナノファイバ ,  重合体
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  電界効果移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非毒性 ,  酸化インジウム ,  ナノ繊維 ,  低温 ,  作製 ,  電界効果トランジスタ ,  応用