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J-GLOBAL ID：202002260582032713   整理番号：20A1126935

高電流密度における高出力SchottkyダイオードのS形I-V特性【JST・京大機械翻訳】

S-Shaped I-V Characteristics of High-Power Schottky Diodes at High Current Densities

著者 (3件)： Tandoev A. G. (National Research University Moscow Power Engineering Institute (MPEI), Moscow, Russia) ,  Mnatsakanov T. T. (National Research University Moscow Power Engineering Institute (MPEI), Moscow, Russia) ,  Yurkov S. N. (National Research University Moscow Power Engineering Institute (MPEI), Moscow, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 5  ページ： 567-574  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体におけるキャリア輸送の準中性領域(拡散とドリフト,最近発見された準中性ドリフトにより刺激された拡散)の効果を,構造の特性に関して連続的に考慮した。Schottkyダイオード構造におけるキャリア輸送領域の変化の次数を調べ,この変化に起因するI-V特性の特徴を確立した。これらの特徴の解析的研究の結果を数値シミュレーションを用いて確認した。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  ドリフト
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  キャリア輸送 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 半導体におけるキャリア輸送 ,  高出力Schottkyダイオード ,  I-V特性 ,  キャリア輸送体制

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電流密度 ,  高出力 ,  Schottkyダイオード ,  I-V特性