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J-GLOBAL ID:202002260616476072   整理番号:20A1337987

超伝導強磁性トランジスタの増幅特性の特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of Amplification Properties of the Superconducting-Ferromagnetic Transistor
著者 (6件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: ROMBUNNO.1800105.1-5  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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超伝導-強磁性トランジスタ(SFT)の測定結果を報告した。装置は,北西大学とHypres(SeeQC),Incで行った。(Nevirkovets et al.,2014;2015)。SFTは,SIS’FIFS(またはSFIFS’IS)構造(ここで,S,I,およびFが超伝導体,絶縁体,および強磁性材料を表す)を有する多端子デバイスであり,超伝導トンネル接合の非線形I→V曲線を修正するために,強い準粒子注入を利用する。SFTは,良好な入力/出力分離を持ちながら,電圧,電流,および電力増幅を提供できる。異なる測定技術を用いてデバイスを特性化した。5MHzまでの周波数で単一および二重アクセプタデバイスのSパラメータを測定した。重要なことは,デバイスの入力と出力の間の分離が極めて良好であることを確認した。しかし,半導体デバイスの特性化に通常用いられる技術は,著者らの低抵抗SFTデバイス,特に2つのアクセプタを有するものの完全な可能性を明らかにすることができない。後者の場合も,浮動地上の電池駆動電流源を用いてデバイスを試験した。最適負荷に対して,異なるレベルの注入電流で記録した二重アクセプタI-V曲線を解析して,33の小さい信号電圧利得と2.4の電力利得を推定した。SFTデバイスパラメータのさらなる改良は,最適化されたデバイスで可能であるので,デバイスが極低温検出器の出力信号の読み出しのための前置増幅器として機能し,他の超伝導体ベース回路の要素として有用である。さらに,走査透過電子顕微鏡を用いて,平面化のないデバイスの製作におけるいくつかの問題を同定した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
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移動通信  ,  信号理論  ,  数値計算  ,  図形・画像処理一般  ,  パターン認識 
タイトルに関連する用語 (5件):
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