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J-GLOBAL ID:202002260652077917   整理番号:20A0625767

ハロゲン化ナトリウム支援化学蒸着成長による単分子層MOS_2結晶の欠陥不動態化と光ルミネセンス増強【JST・京大機械翻訳】

Defect Passivation and Photoluminescence Enhancement of Monolayer MoS2 Crystals through Sodium Halide-Assisted Chemical Vapor Deposition Growth
著者 (6件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 9563-9571  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子的に薄い遷移金属二カルコゲン化物(TMD)結晶の化学気相成長(CVD)成長における最近の成功は,ナノ電子およびオプトエレクトロニクスデバイスにおけるこれらの材料を利用するための展望を開いている。しかし,CVD成長TMDは,成長中の欠陥の形成のために,しばしば弱い結晶品質を被り,それは,それらの電気的および光学的性質に大きな影響を与える。ここでは,ハロゲン化ナトリウム支援CVD法による高品質MoS_2単分子層の容易な合成について報告する。著者らの結果は,MoO_3前駆体へのハロゲン化ナトリウムの添加が,高度に結晶性のMoS_2単分子層の急速な成長をもたらすことを示している。さらに,MoS_2単分子層の全体的光ルミネセンス(PL)強度は2桁まで大きく増強された。PL増強は,硫黄空格子点により誘起された深いトラップ状態がハロゲン原子の置換ドーピングにより不動態化され,励起子とトリオンの発光を促進することに起因する。密度汎関数理論計算は,ハロゲンドープMoS_2単分子層のバンドギャップが,PLピーク(~30meV)の小さな赤方偏移の原因である,元のMoS_2単分子層のバンドギャップよりわずかに小さいことを示した。これらの知見は,MoS_2および他のTMD単分子層の工学的電子的および光学的性質に対する新しいルートを提供する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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