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J-GLOBAL ID:202002260700069281   整理番号:20A0840621

ガス促進剤支援CVDによる絶縁体上のグラフェンの直接成長:進歩と展望【JST・京大機械翻訳】

Direct Growth of Graphene over Insulators by Gaseous-Promotor-Assisted CVD: Progress and Prospects
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 483-492  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2531A  ISSN: 2199-692X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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絶縁基板上のグラフェンの移動フリー合成を可能にする直接化学蒸着(CVD)アプローチを利用することは魅力的である。それにもかかわらず,如何なる触媒の助けを借りずに成長したグラフェンの品質と均一性は,通常,金属上に形成されたグラフェンのそれよりもはるかに劣っていた。これは主に炭素原料の分解に関して絶縁表面の触媒不活性に由来する。この点において,直接成長したグラフェンの品質を高めるために,微妙な方法論が考案されている。このミニレビューにおいて,種々のガスプロモーターを導入することによる絶縁体上のグラフェンの直接CVD成長における最近の進歩をカバーした。直接成長に及ぼす種々のタイプの促進剤の影響と機構を論じた。最後に,この分野における既存の挑戦と将来展望をさらに強調した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物 

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