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J-GLOBAL ID：202002260725207825   整理番号：20A0299878

二硫化モリブデン単分子層における欠陥支援接触特性増強【JST・京大機械翻訳】

Defect-Assisted Contact Property Enhancement in a Molybdenum Disulfide Monolayer

著者 (4件)： Chee Sang-Soo (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science & Technology (GIST), Republic of Korea) ,  Lee Joo-Hyoung (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science & Technology (GIST), Republic of Korea) ,  Lee Kayoung (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science & Technology (GIST), Republic of Korea) ,  Ham Moon-Ho (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science & Technology (GIST), Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 3  ページ： 4129-4134  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)遷移金属ジカルコゲニド(TMDC)の接触工学は,高性能2D TMDCデバイスを実現するために重要であり,2D TMDCの接触特性に関する多くの研究は,主にFermi準位のピン止めに焦点を合わせている。ここでは,金属接触,Ti/Pt,Ti/Au,TiおよびAgに依存する化学蒸着(CVD)成長二硫化モリブデン(MoS_2)単分子層デバイスの電気的および光電気的性質を調べ,接触特性におけるMoS_2の欠陥の本質的役割を示した。注目すべきことに,Ag接触を持つMoS_2素子は,12.2cm2V~-1s-1の電界効果移動度,7×107のオン/オフ電流比,および1020AW-1の光応答性を示し,他の金属接触をもつ類似素子と比較して優れている。これらの改善は,界面におけるAgとAg-MoS_2軌道混成の小さな仕事関数によるSchottky障壁高さの減少に起因し,MoS_2とAgの間の効率的な電荷移動を容易にする。興味深いことに,X線光電子分光分析は,Ag_2Sが著者らの欠陥を含むCVD成長MoS_2単分子層中に形成されたが,そのような軌道混成はほとんど無欠陥の剥離MoS_2では観察されないことを明らかにした。この区別は,MoS_2に存在する欠陥が,AgをMoS_2に効果的に結合させ,それに応じて,多重電気的および光電気的性質を強化することを示す。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 配位混合 ,  化学蒸着 ,  多重化 ,  Fermi準位 ,  電流 ,  二次元 ,  X線光電子分光法 ,  電荷移動 ,  界面 ,  銀 ,  電気的性質 ,  ピン止め ,  *単分子層 ,  仕事関数
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二硫化モリブデン ,  金属接触 ,  欠陥 ,  Fermi準位ピン止め ,  界面

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二硫化モリブデン ,  単分子層 ,  欠陥 ,  支援 ,  増強