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J-GLOBAL ID：202002260877709158   整理番号：20A0077943

超薄α-Sn(111)膜におけるトポロジカル表面状態の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring the topological surface state in ultrathin α-Sn(111) films

著者 (15件)： Rogalev V. A. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Reis F. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Adler F. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Bauernfeind M. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Erhardt J. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Kowalewski A. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Scholz M. R. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Dudy L. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Duffy L. B. (Clarendon Laboratory, Physics Department, Oxford University, OX1 3PU Oxford, England, United Kingdom) ,  Hesjedal T. (Clarendon Laboratory, Physics Department, Oxford University, OX1 3PU Oxford, England, United Kingdom) ,  Hoesch M. (Diamond Light Source, OX11 0DE Didcot, England, United Kingdom) ,  Hoesch M. (DESY Photon Science, Notkestrasse 85, D-22607 Hamburg, Germany) ,  Bihlmayer G. (Peter Gruenberg Institut, Forschungszentrum Juelich and JARA, 52425 Juelich, Germany) ,  Schaefer J. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany) ,  Claessen R. (Physikalisches Institut and Wuerzburg-Dresden Cluster of Excellence ct.qmat, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, Germany)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 24  ページ： 245144  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InSb(111)A上に成長させた非常に低い厚さの領域におけるα-Sn膜の電子構造について報告する。高分解能低光子エネルギー角度分解光電子分光法は,第二価電子帯と伝導帯の間に存在する線形分散二次元(2D)トポロジー表面状態(TSS)の直接観測を可能にする。このTSSのDirac点は10nm厚膜においてFermi準位より200meV低いことが分かった。これは薄い膜に対するTSSのDirac点での混成ギャップ開口の観測を可能にする。準二次元電子構造へのクロスオーバは,著者らの密度汎関数理論計算と一致して,Brillouinゾーン中心での完全ギャップ開口を伴った。さらに,TSS中の混成ギャップがトポロジー的に自明でない電子構造と共存するα-Sn膜の厚さ領域を同定し,一次元螺旋状エッジ状態の存在を期待できる。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アンチモン化インジウム ,  価電子バンド ,  開口 ,  Fermi準位 ,  Brillouin帯 ,  伝導バンド ,  電子構造 ,  線形性 ,  *位相幾何学 ,  厚膜 ,  二次元 ,  一次元 ,  薄膜 ,  高分解能
準シソーラス用語： クロスオーバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (2件)： Sn ,  トポロジカル表面状態