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J-GLOBAL ID：202002260905667756   整理番号：20A0496455

III-V多重接合太陽電池用の薄いゲルマニウム基板【JST・京大機械翻訳】

Thinned Germanium Substrates for III-V Multijunction Solar Cells

著者 (5件)： Lombardero Ivan (Universidad Polite ́cnica de Madrid,Instituto de Energi ́a Solar,Madrid,Spain,28040) ,  Miyashita Naoya (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904) ,  Ochoa Mario (Universidad Polite ́cnica de Madrid,Instituto de Energi ́a Solar,Madrid,Spain,28040) ,  Okada Yoshitaka (The University of Tokyo,Research Center for Advanced Science and Technology (RCAST),Tokyo,Japan,153-8904) ,  Algora Carlos (Universidad Polite ́cnica de Madrid,Instituto de Energi ́a Solar,Madrid,Spain,28040)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： PVSC  ページ： 1025-1028  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多接合太陽電池は通常Ge基板上に成長する。これは,全多接合の性能を妨げ,それらの可能な応用を制限するいくつかの欠点を意味する。基板によって引き起こされた欠点は,より重い素子,より高い動作温度,より低い性能および光子閉込めの欠如である。本研究では,上記の課題に対する有効な解決策として基板を薄くすることを提案した。多重接合内部のGeサブセル性能に及ぼす基板厚さの影響を,2D TCADツールを用いてシミュレーションした。シミュレーション結果は,薄いGeサブセルの開発を強化するためのキーパラメータとして背面再結合を指摘した。Ge基板を薄くし,115μm厚の試料を得た。最後に,太陽電池を薄い基板から製造し,限られた劣化を証明し,115μmまで薄くなったGeサブセルを製造するためのこのプロセスの実現可能性を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光子 ,  再結合 ,  シミュレーション ,  *太陽電池 ,  二次元 ,  接合
準シソーラス用語： TCAD ,  動作温度 ,  タンデム太陽電池 ,  ゲルマニウム基板 ,  *多重接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多重接合 ,  太陽電池 ,  ゲルマニウム基板