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J-GLOBAL ID：202002260996974020   整理番号：20A2623205

高密度3Dフラッシュ上の高速読取のためのSentinelによるShaving Retries【JST・京大機械翻訳】

Shaving Retries with Sentinels for Fast Read over High-Density 3D Flash

著者 (7件)： Li Qiao (City University of Hong Kong) ,  Ye Min (City University of Hong Kong) ,  Cui Yufei (City University of Hong Kong) ,  Shi Liang (East China Normal University) ,  Li Xiaoqiang (YEESTOR Microelectronics Co., Ltd) ,  Kuo Tei-Wei (City University of Hong Kong) ,  Xue Chun Jason (City University of Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MICRO  ページ： 483-495  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度フラッシュメモリチップは,データの指数関数的成長で大きな要求下にある。同時に,これらの高密度フラッシュメモリチップの遅い読取性能は新しい課題になる。本研究では,3D QLCフラッシュメモリチップの誤差挙動を特性化することにより,高い生ビット誤り率(RBER)問題を解析した。QLCセルに対する好ましい読取電圧は層間で変化し,温度により短時間に変化さえする。セル間の誤差特性を利用するために,センチネルセルアプローチを提案した。センチネルセルに導入された誤差に基づく単語ラインの最適読取電圧を推論することを提案する。オンラインキャリブレーション手順をさらに提示して,いくつかの単語における可能な不均一誤差分布の問題を解決した。推論される最適電圧で,読取リトリーの数は著しく減少した。実験により,最適読取電圧は,ほとんどの2読取リトリで評価QLCフラッシュメモリ上で平均94%の場合に,また,センチネルセルの採用に対して,単に0.2%空間オーバヘッドで,瞬時に得られることを示した。読取リトリーの数は平均で82%減少し,読取性能は3D TLCとQLCフラッシュメモリチップ上の一連の広範な実験を通して平均で74%改善できる。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  指数関数 ,  *三次元 ,  キャラクタリゼーション ,  単語 ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： ビット誤り率 ,  オーバヘッド ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 3D ,  読取