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J-GLOBAL ID:202002261050418286   整理番号:20A2190278

欠陥CrI_3単層におけるフラットバンド分裂誘起同調磁性【JST・京大機械翻訳】

Flat-band splitting induced tunable magnetism in defective CrI3 monolayer
著者 (6件):
資料名:
巻: 321  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0499A  ISSN: 0038-1098  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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2次元(2D)固有強磁性(FM)半導体としてのクロム三ヨウ化物(CrI_3)単分子層は,原子的に薄い磁石のスピントロニクス応用に対して多数の機会を創出する。密度汎関数理論を用いて,空格子点欠陥を有するCrI_3単分子層の電子構造とキャリアドーピングを研究した。エネルギーバンド構造は,スピンアップ伝導バンドにおけるFermi準位近くのフラットバンドが,空格子点濃度に関係なく,I空格子点を有するCrI_3単分子層に対して孤立フラットバンドに分裂し,一方,これらのフラットバンドは完全ケースに交差することを示している。さらなる分析は,フラットバンドの分離がI空孔により誘起されたCr-I相互作用の減少に起因することを示唆した。I空孔の導入は半導体特性を維持するだけでなく,I-空孔含有CrI_3の全磁気モーメントも増強し,磁気モーメントの増強は空格子点の数と密接に関連する。フラットバンド分裂の助けにより,キャリアドーピングを用いて磁気モーメントをさらに調整し,同時にI空孔含有CrI_3の半導体特性を維持することができた。したがって,著者らの知見はスピントロニクスにおけるCrI_3単分子層の現実的応用を拡張する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の磁性  ,  酸化物結晶の磁性 

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