植込み型デバイスのための高速過渡応答低電圧集積インタリーブDC-DCコンバータ【JST・京大機械翻訳】

Shirazi Najmeh Cheraghi; Jannesari Abumoslem; Torkzadeh Pooya

文献

J-GLOBAL ID：202002261123443146 整理番号：20A0667464

植込み型デバイスのための高速過渡応答低電圧集積インタリーブDC-DCコンバータ【JST・京大機械翻訳】

Fast-Transient-Response Low-Voltage Integrated, Interleaved DC-DC Converter for Implantable Devices

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=20A0667464&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=20A0667464&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0526A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 29 号： 1 ページ： 2050013 発行年： 2020年
JST資料番号： W0526A ISSN： 0218-1266 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：シンガポール (SGP) 言語：英語 (EN)

低電力,低電圧,無電池の移植可能な応用のために,新しい自己始動スイッチコンデンサ充電ポンプを提案した。出力電圧リップルを最小化し,過渡応答を改善するために,インタリービング制御技術を多段交差結合チャージポンプ(CCCP)回路に適用した。それは,時間配列法で電力潮流を分割する。研究の3つの事例を設計し,補助トランジスタによるボダイバイアス技術により研究した:4段2分岐CCCP(TBCCCP),2セル4段インタリーブ2分岐CCCP(ITBCCP2)および4セル4段インタリーブ2分岐CCCP(ITBCCP4)。また,CCCP回路のように低い電圧で動作することができる,ボダイバイアス技術を用いた多相非重なりクロック発生回路を提案した。提案した回路を,300~400[数式:原文を参照] mVの低い入力電圧と1[数式:原文を参照] pF負荷容量の20[数式:原文を参照] MHzクロック周波数で設計した。3つの設計の中で,ITBCCP4は最低のランプアップ時間(41.6%速い),出力電圧リップル(29%少ない),および電力消費(19%少ない)を持っている。ITBCCP4の性能指数(FOM)は,2つの他の間で最も高い値である。400[数式:原文を参照] mV入力電圧に対して,ITBCCP4は11.6[数式:原文を参照]μs以内で98.3%のポンピング効率を有し,一方,最大電圧リップルは0.1%,消費電力は2.7[数式:原文を参照] nWと低かった。FOMはこの回路に対して0.66である。設計した回路は,TBCCCPに対して[数式:原文を参照][数式:原文を参照]μm,ITBCCP2に対して[数式:原文を参照][数式:原文を参照]μm,ITBCCP4に対して[数式:原文を参照][数式:原文を参照]μmの効果的チップ面積をもつ180nm標準CMOS技術に実装した。Copyright 2020 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,

著者キーワード (5件)： , , , ,

電力変換器 , 電源回路

, , , , ,

前のページに戻る