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J-GLOBAL ID：202002261290485590   整理番号：20A1110871

二重指数状態密度を考慮した有機薄膜トランジスタの表面電位ベース電流モデル【JST・京大機械翻訳】

Surface potential based current model for organic thin film transistor considering double exponential density of states

著者 (2件)： Teja K.B.R. (Department of Electrical and Electronics Engineering, Rajasthan, India) ,  Gupta N. (Birla Institute of Technology and Science Pilani, Rajasthan, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 142  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面ポテンシャルに基づくモデルは,薄膜トランジスタのための最も良く知られたコンパクトモデルの一つである。しかしながら,コンピュータ支援設計(CAD)ツールにおけるそれらの使用は,デバイス特性を得るために計算的に集中的で反復的なアプローチを必要とするという事実のために制限されている。表面ポテンシャルを計算するための既存の技術は,表面ポテンシャルを解くために,領域ごとの近似,平滑化関数および経験的方法を用いる。これらの技術は,しばしば一貫した結果,特に遷移領域における大きな誤差をもたらす。さらに,そのような近似を用いて得られた解は,しばしば固有のデバイスパラメータとの関係を確立することができない。本研究では,有機薄膜トランジスタ(OTFT)の場合の表面ポテンシャルに対する計算的に効率的で,コンパクトで,正確で,物理的にベースの閉形式解を提案した。表面ポテンシャルに対して得られた解析式は非反復(単一ステップ)であり,数値解と比較して1%以下の絶対誤差で非常に正確である。さらに,導出された表面ポテンシャルの表現をOTFTの全領域I-V特性表現に組み込んだ。表面ポテンシャルの解析解を用いて得られたI-V特性曲線はOTFTの線形及び飽和挙動の両方を正確にモデル化できた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 数値解法 ,  *表面電位 ,  CAD【計算機】 ,  *薄膜トランジスタ ,  解析的解法 ,  近似法 ,  平滑化 ,  線形性 ,  *状態密度 ,  特性曲線
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  *有機薄膜トランジスタ ,  デバイス特性 ,  閉形式解 ,  絶対誤差 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機薄膜トランジスタ(OTFT) ,  表面電位 ,  状態密度(DOS) ,  段階的チャネル近似(GCA) ,  CAD(CAD)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 指数 ,  状態密度 ,  有機薄膜トランジスタ ,  表面電位 ,  ベース電流 ,  モデル