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J-GLOBAL ID：202002261352868237   整理番号：20A0426858

81Kから297Kまでの接合温度における発光ダイオードのスペクトルおよび電気特性を測定するためのクライオスタットセットアップ【JST・京大機械翻訳】

Cryostat setup for measuring spectral and electrical properties of light-emitting diodes at junction temperatures from 81 K to 297 K

著者 (4件)： Martikainen Elvira (Metrology Research Institute, Aalto University, P.O. Box 15500, 00076 Aalto, Finland) ,  Vaskuri Anna (Metrology Research Institute, Aalto University, P.O. Box 15500, 00076 Aalto, Finland) ,  Donsberg Timo (Metrology Research Institute, Aalto University, P.O. Box 15500, 00076 Aalto, Finland) ,  Ikonen Erkki (Metrology Research Institute, Aalto University, P.O. Box 15500, 00076 Aalto, Finland)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 91  号： 1  ページ： 015106-015106-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオード(LED)の基本的な光学的および電気的性質を測定するためのクライオスタット装置を紹介した。セットアップにより,順方向電圧,接合温度,およびエレクトロルミネセンススペクトルのクライオスタット圧力とLED特性を,81~297Kの接合温度範囲にわたり,1.5K以下の温度ステップでモニターした。この装置を市販の黄色AlGaInPと青色InGaN LEDに適用した。低温では,エレクトロルミネセンススペクトルの微細構造が分解された。黄色LEDに対して,81Kの接合温度でピークエネルギーより87meV下に位置する2.094eVにフォノンレプリカを観測した。青色LEDに対して,エネルギー間隔89meVで,2.599eV,2.510eV,および2.422eVにカスケードフォノンレプリカを観測した。両LED型に対して,順方向電圧はLED成分中の材料の抵抗率の増加により,低温側に鋭く増加した。Varshni式から得られたLEDの順方向電圧,スペクトルピークエネルギー,およびバンドギャップエネルギーの温度依存性挙動の間に有意差が見出された。また,クライオスタット圧力のベースレベルが約0.4mPaのとき,水の固気相転移から生じる180~185Kでの鋭い圧力ピークに注目した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  エレクトロルミネセンス ,  電圧 ,  *クライオスタット ,  電気的性質 ,  *電気特性 ,  微細構造 ,  *スペクトル ,  *発光ダイオード ,  低温 ,  相転移 ,  フォノン
準シソーラス用語： InGaN ,  *接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  プラズマ診断  (BJ02090L) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 接合温度 ,  発光ダイオード ,  スペクトル ,  電気特性