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J-GLOBAL ID：202002261457183313   整理番号：20A0062835

シリコン上のエピタキシャルBaTiO_3薄膜の構造研究【JST・京大機械翻訳】

Structural studies of epitaxial BaTiO₃ thin film on silicon

著者 (10件)： Wague B. (Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully Cedex, France) ,  Brubach J.-.B. (Synchrotron SOLEIL, AILES beamline, L’orme des merisiers, 91190 Saint Aubin, France) ,  Niu G. (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Dong G. (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Dai L. (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Roy P. (Synchrotron SOLEIL, AILES beamline, L’orme des merisiers, 91190 Saint Aubin, France) ,  Saint-Girons G. (Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully Cedex, France) ,  Rojo-Romeo P. (Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully Cedex, France) ,  Robach Y. (Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully Cedex, France) ,  Vilquin B. (Universite de Lyon, Ecole Centrale de Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon, CNRS UMR5270, 36 avenue Guy de Collongue, 69134 Ecully Cedex, France)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 693  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrTiO_3/Siテンプレート上に成長させたBaTiO_3薄膜(60nm厚)をそれらの構造的および電気的性質について特性化した。シリコン上のBaTiO_3膜のエピタクシーを,良好な結晶性を有するX線回折によって確認した。温度依存構造特性を,吸収モードにおける赤外分光法によってチェックした。膜は5~385Kの温度範囲で単一の強誘電相に留まることが分かった。バルクBaTiO_3の低温斜方晶-菱面体晶相転移特性はSi基板からのクランプ効果により膜中には存在しない。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤外分光法 ,  斜方晶系 ,  *エピタクシー ,  強誘電性 ,  相転移 ,  電気的性質 ,  X線回折 ,  結晶度 ,  三方晶系 ,  *薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  フォノン ,  温度依存性 ,  低温 ,  *ケイ素

著者キーワード (7件)： 強誘電性 ,  薄膜 ,  シリコン ,  エピタキシー ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  赤外分光法 ,  フォノン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  研究