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J-GLOBAL ID：202002261517041807   整理番号：20A1918322

Ba_24-x(Ga,Sn)_136(x=4)タイプ-II包接化合物の合成およびいくつかの特性【JST・京大機械翻訳】

Synthesis and some properties of Ba_24-x (Ga,Sn)₁₃₆ (x4) type-II clathrates

著者 (4件)： Kawasaki Kazuki (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi, 755-8611, Japan) ,  Kishimoto Kengo (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi, 755-8611, Japan) ,  Asada Hironori (Graduate School of Sciences and Technology for Innovation, Yamaguchi University, 2-16-1 Tokiwadai, Ube, Yamaguchi, 755-8611, Japan) ,  Akai Koji (Faculty of Global and Science Studies, Yamaguchi University, 1677-1 Yoshida, Yamaguchi, 753-8511, Japan)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 290  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶融Na-Ba-Ga-Snインゴットを遠心分離してBa-Ga-Sn型IIクラスレート結晶を得た。このクラスレートは,以前に報告されたBa-Ga-SnタイプIIクラスレート,Ba_16Ga_32Sn_104とは違って,20原子と28原子ケージの両方にBaゲスト原子を持ち,これは28原子ケージにゲスト原子を持たない。このクラスレート結晶の化学組成と格子定数はそれぞれBa_20Ga_47Sn_89と1.6918nmであった。結晶を焼結して,クラスレートの熱電特性を測定した。焼結試料は低温でp型特性を示した。室温(RT)熱伝導率は5~6mWcm-1K-1と低かった。しかし,RTキャリア移動度はΔΔ5cm2V-1s-1であり,Ga-Sn骨格を有するタイプIIクラスレートでは非常に低い。焼結試料は多孔性と結晶粒界散乱を被った。このような低移動度は,このクラスレートのバンド構造とも関連している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  化学組成 ,  キャリア移動度 ,  *包接化合物 ,  結晶粒界 ,  格子定数 ,  散乱 ,  焼結 ,  バンド構造 ,  低温 ,  熱伝導率 ,  インゴット
準シソーラス用語： ケージ ,  熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱電材料 ,  II型クラスレート ,  スズクラスレート ,  Ba_24-x(GaSn)_136

分類 (1件)： 分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  Sn ,  タイプ ,  包接化合物