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J-GLOBAL ID：202002261781533929   整理番号：20A0392019

n-Si中の導電性高分子誘起反転層の直接観察と太陽電池性能との相関【JST・京大機械翻訳】

Direct Observation of Conductive Polymer Induced Inversion Layer in n-Si and Correlation to Solar Cell Performance

著者 (11件)： Wang Rongbin (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Wang Rongbin (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Str. 6, 12489, Berlin, Germany) ,  Wang Yusheng (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Wu Chen (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Zhai Tianshu (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Yang Jiacheng (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Sun Baoquan (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Duhm Steffen (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Koch Norbert (Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Joint International Research Laboratory of Carbon-Based Functional Materials and Devices and Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, 215123, Suzhou, P. R. China) ,  Koch Norbert (Institut fuer Physik and IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Str. 6, 12489, Berlin, Germany) ,  Koch Norbert (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Albert-Einstein Str. 15, 12489, Berlin, Germany)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 30  号： 4  ページ： e1903440  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄導電性高分子[ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン): ポリ(スチレンスルホナート]-PEDOT:PSS膜とn型結晶シリコンにより形成されたヘテロ接合を光電子分光法により調べた。PEDOT:PSS堆積によるSi 2pコアレベルの大きなシフトは,ドープ無しp-n接合,すなわち反転層がSi内に形成されるという証拠を提供する。調べたPEDOT:PSS処方の中で,Si(0.71eV)内の最大誘起バンド曲がりが,湿潤剤と溶媒添加剤ジメチルスルホキシド(DMSO)と結合したPH1000(高PEDOT含有量)に対して見出された。DMSOなしでは,誘導されたバンド曲がりは減少し,また,より高いPSS含有量を有するPEDOT:PSS処方の場合も同様であった。界面エネルギー準位アラインメントは,高い高分子伝導率と十分なSi不動態化が高い電力変換効率を達成するために必要である,PEDOT:PSS PSS/n-Si太陽電池の特性と良く相関した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高分子 ,  不動態化 ,  ドーピング ,  アラインメント ,  光電子分光法 ,  *導電性高分子 ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  *ケイ素 ,  *太陽電池 ,  *反転層 ,  湿潤剤 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： バンド曲がり ,  PEDOT:PSS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 帯域曲げ ,  コア準位シフト ,  エネルギーレベルのアラインメント ,  反転層 ,  PEDOT:PSS太陽電池

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  導電性高分子 ,  誘起 ,  反転層 ,  太陽電池 ,  相関