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J-GLOBAL ID：202002261820399554   整理番号：20A2754966

全無機無鉛ペロブスカイトCs_2PdBr_6の光起電力特性:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Photovoltaic properties of all-inorganic lead-free perovskite Cs₂PdBr₆: A first-principles study

著者 (2件)： Xu Peng (Hubei Engineering Research Center of Weak Magnetic-Field Detection, China Three Gorges University, Yichang 443002, China) ,  Liu Fuxiang (College of Science and TGMRC, China Three Gorges University, Yichang 443002, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 11  ページ： 115203-115203-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハロゲン化鉛ペロブスカイトは,その毒性の課題と熱不安定性が扱いにくいままである一方で,オプトエレクトロニック性能を示した。最近,長期安定性を有する狭いバンドギャップ半導体としての鉛フリーハロゲン化物ペロブスカイトCs_2PdBr_6が大きな注目を集めている。ここでは,第一原理計算を実行することにより,(i)Cs_2PdBr_6が1.71eVの間接バンドギャップと20meVより小さい直接バンドギャップを持つ準直接バンドギャップを持つことを見出した。格子定数が拡大したとき,バンドギャップは増加し,それは従来の閃亜鉛鉱型半導体のそれと逆であった。(ii)Cs_2PdBr_6と一般的なペロブスカイト間のバンドオフセットは,Cs_2PdBr_6がドーピング限界規則に従ってp型をドープするのが困難であることを示した。TiO_2,SnO_2,ZnO,およびC_60のような一般的に使用される電子輸送材料はCs_2PdBr_6太陽電池デバイスにも適しているが,低い最高被占分子軌道を有する一般的に使用される正孔輸送材料は代替である。(iii)Cs_2PdBr_6は固有のp型であるのは難しい。電気伝導率は,適切な外部ドーピングがないならば,欠陥の電荷補償のためにあまり高くない。Pdが不足し,Brリッチな条件が深い準位で欠陥の形成を抑制することができるので,この条件を太陽電池吸収体としてCs_2PdBr_6を合成するために提案した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光起電力 ,  格子定数 ,  太陽電池 ,  電気伝導率 ,  半導体 ,  *鉛 ,  *パラジウム ,  ハロゲン化物 ,  ハロゲン化 ,  ドーピング ,  HOMO ,  深い準位 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト ,  光起電力 ,  第一原理 ,  研究