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J-GLOBAL ID：202002261859593422   整理番号：20A2548963

界面敏感抵抗測定により検出した水素雰囲気中のSrRuO_3-金属界面における室温還元【JST・京大機械翻訳】

Room-temperature reduction at SrRuO₃-metal interface in hydrogenous atmosphere detected by interface-sensitive resistance measurement

著者 (5件)： Kambara Hiroshi (Department of Physics, Faculty of Education, Shinshu University, Nagano 380-8544, Japan) ,  Tanaka Hiroyuki (Department of Physics, Faculty of Education, Shinshu University, Nagano 380-8544, Japan) ,  Oishi Satoru (Department of Physics, Faculty of Education, Shinshu University, Nagano 380-8544, Japan) ,  Tenya Kenichi (Department of Physics, Faculty of Education, Shinshu University, Nagano 380-8544, Japan) ,  Tsujii Hiroyuki (Department of Physics, Faculty of Education, Kanazawa University, Kanazawa 920-1192, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 17  ページ： 175306-175306-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面感受性抵抗測定技術を用いて,室温で水素雰囲気下で金属酸化物SrRuO_3と電極の間の界面で還元反応前駆体を検出した。この多結晶酸化物と電極(金属パッドまたはワイヤ)の間の界面抵抗は,室温でも存在する水素と共に明らかに増加した。対照的に,バルクSrRuO_3では,抵抗の増加は見られなかった。界面抵抗の増加速度は電極材料に依存し,例えば,SrRuO_3-AgのそれはSrRuO_3-Cuのそれよりも大きく,その速度はバルク酸化物が還元する傾向に関係する;Ag_2OはCuOよりも還元しやすい。界面抵抗の増加の起源は,SrRuO_3中の酸素の部分的欠乏である。著者らの実験は,SrRuO_3の界面での還元が,以前に報告された≒200°Cのバルク還元温度と比較して,比較的低い温度(室温)で起こることを示唆する。さらに,電極材料は界面での還元反応を制御する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  酸素 ,  *水素 ,  酸化物 ,  金属酸化物 ,  感受性 ,  多結晶 ,  電極材料 ,  前駆体 ,  金属線 ,  酸化第二銅 ,  *抵抗測定 ,  *水素雰囲気 ,  還元温度 ,  電極界面抵抗
準シソーラス用語： 界面抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面 ,  抵抗測定 ,  水素雰囲気 ,  室温 ,  還元