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J-GLOBAL ID:202002261907904842   整理番号:20A2793073

二セレン化タングステンの懸濁数層の温度およびパワー依存フォノン特性【JST・京大機械翻訳】

Temperature- and power-dependent phonon properties of suspended few layers of tungsten diselenide
著者 (13件):
資料名:
巻: 111  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0097A  ISSN: 0924-2031  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,Si_3N_4孔に懸濁した機械的に剥離した数層WSe_2の面外A_1gRamanモードの温度およびレーザパワー依存性を報告した。A_1gフォノン周波数は77~548Kの温度範囲で赤方偏移し,一次温度係数は懸濁4層および6層WSe_2に対してそれぞれ-0.0083および-0.0079cm-1/Kと見積もられた。懸濁4層WSe_2試料のレーザ出力依存性は-0.0079cm-1/μWと推定され,6層WSe_2ではシフトは観測されなかった。懸濁4層WSe_2と1D Balandinのレーザパワー依存性を用いて,室温でWSe_2の面内熱伝導率を~57.7W/mKと計算した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  ,  比熱・熱伝導一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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