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J-GLOBAL ID：202002262016857642   整理番号：20A0139697

接触太陽電池を不動態化するためのドープしたポリSi膜の水素支援欠陥工学【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen-Assisted Defect Engineering of Doped Poly-Si Films for Passivating Contact Solar Cells

著者 (13件)： Truong Thien N. (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Yan Di (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Samundsett Christian (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Liu Anyao (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Harvey Steven P. (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Young Matthew (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Ding Zetao (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Tebyetekerwa Mike (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Kremer Felipe (Centre for Advanced Microscopy, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Al-Jassim Mowafak (National Renewable Energy Laboratory, Colorado, United States) ,  Cuevas Andres (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Macdonald Daniel (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia) ,  Nguyen Hieu T. (Research School of Electrical, Energy and Materials Engineering, The Australian National University, ACT, Australia)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 2  号： 12  ページ： 8783-8791  発行年： 2019年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープした多結晶シリコン(poly-Si)不動態化接触構造上の水素化窒化ケイ素(SiN_x:H)キャッピング層による水素支援欠陥工学を相補的技術を用いて調べた。水素処理は,調べた全ての試料についてポリSi/SiO_xスタックの不動態化品質を普遍的に改善した。一方,それらの接触抵抗は~6mΩcm2で非常に低いままである。さらに,ポリSi膜内の電荷キャリア再結合の性質も光ルミネセンスにより調べた。平面c-Si基板上では,poly-Si膜は~850~1050nmと~1300~1500nmに二つの広い光ルミネセンスピークを示した。前者は水素化非晶質Si(a-Si:H)相の特徴的ピークであり,処理後にのみ現れ,(i)かなりの量の水素がポリSi膜に駆動され,(ii)非晶質相がその中に存在することを示した。第二のピークは,ポリSi膜内部のサブバンドギャップ放射欠陥に起因し,処理後に増加し,それらの無放射再結合チャネルの抑制を示唆した。組織化c-Si基板上に堆積した膜に対しては,破壊された酸化物境界が存在し,膜内部の過剰キャリアの蓄積を防ぎ,膜ルミネセンスの消光をもたらした。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  ルミネセンス ,  ポリシリコン ,  *不動態化 ,  水素化 ,  光ルミネセンス ,  電荷 ,  非晶質 ,  *水素 ,  酸化物 ,  キャリア再結合 ,  品質 ,  過剰キャリア ,  窒化ケイ素 ,  *太陽電池

著者キーワード (5件)： 水素化 ,  ドープした多結晶シリコン ,  非晶質シリコン ,  接触 ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 太陽電池 ,  不動態化 ,  ドープ ,  Si膜 ,  水素 ,  支援 ,  欠陥 ,  工学