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J-GLOBAL ID：202002262076454643   整理番号：20A0971137

ZrNベースのフレキシブル抵抗スイッチングメモリ【JST・京大機械翻訳】

ZrN-Based Flexible Resistive Switching Memory

著者 (4件)： Kumar Dayanand (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chand Umesh (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Siang Lew Wen (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Tseng Tseung-Yuen (Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 41  号： 5  ページ： 705-708  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,近い将来のフレキシブルメモリ応用のために,ZrNベース抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)を研究した。室温作製プロセスにより,素子は低温フレキシブルモノリシック技術に適している。窒化チタン/ZrN/窒化チタンデバイスは,優れたAC耐久性サイクル(10~7),急速な速度(45ns),および100°Cでの安定な保持(10~4s)を示した。さらに,さらなるHfN界面層で構成されたRRAM素子は,小さな動作電圧変動と安定なスイッチング特性を示した。デバイスの柔軟性は優れており,4mmまでの曲げ半径で優れた電気特性を維持している。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *低温 ,  耐久性 ,  柔軟性 ,  電気特性
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  界面層 ,  ReRAM ,  曲げ半径 ,  スイッチング特性 ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 抵抗スイッチングメモリ