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J-GLOBAL ID：202002262343878724   整理番号：20A2592559

硫黄系相変化材料に基づく相変化メモリの特許分析【JST・京大機械翻訳】

著者 (2件)： Xing Bailing (国家知識産権局専利局専利審査協作江蘇中心) ,  Chen Min (国家知識産権局専利局専利審査協作江蘇中心)
資料名： Zhongguo Keji Xinxi  (Zhongguo Keji Xinxi)
号： 18  ページ： 20,22  発行年： 2020年 
JST資料番号： C4046A  ISSN： 1001-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 相変化メモリPCMは時々硫黄系化合物ランダムメモリ(ChalcogenideRandomAccessMemory,C-RAM)と呼ばれ、C-RAMのキー材料の一つは硫黄系化合物相変化薄膜である。硫黄系化合物とは、少なくとも1種類の硫黄系元素を含有する合金材料であり、硫黄系化合物が相変化貯蔵材料を構成することは、今まで50年近く、最も広く、研究が最も多い相転移材料である。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相転移 ,  薄膜 ,  *硫黄
準シソーラス用語： 相変化材料 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫黄 ,  相変化材料 ,  相変化メモリ ,  特許分析