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J-GLOBAL ID：202002262401872628   整理番号：20A2499136

ペロブスカイト-量子ドット界面での超高速電荷キャリア動力学における量子ドットサイズの役割の解読【JST・京大機械翻訳】

Deciphering the role of quantum dot size in the ultrafast charge carrier dynamics at the perovskite-quantum dot interface

著者 (7件)： Piatkowski Piotr (Departamento de Quimica Fisica, Facultad de Ciencias Ambientales y Bioquimica, INAMOL, Universidad de Castilla-La Mancha, Avenida Carlos III, 45071 Toledo, Spain. [e-mail]) ,  Masi Sofia ,  Galar Pavel ,  Gutierrez Mario ,  Ngo Thi Tuyen ,  Mora-Sero Ivan ,  Douhal Abderrazzak
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 42  ページ： 14834-14844  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子と正孔(e,h)動力学は,光励起電荷担体の異なる密度で光励起ハイブリッド材料の界面において,効率的な光電子デバイスの開発にとって極めて重要である。メチルアンモニウム鉛ヨウ化物ペロブスカイト(PS)と半導体コロイド量子ドット(QDs)によって形成されたナノ複合材料は,集中的研究の下でこれらのハイブリッド材料である。しかし,電荷担体の動力学に及ぼす複合材料中の成分の逆の影響はまだ十分に研究されていない。フェムト秒時間分解法により,PSマトリックスに埋め込まれたPbS QDサイズの影響を,eおよびh拡散,QD相への移動および再結合へ明らかにした。減衰はPSからQDへのeとh遷移によって支配されたが,QDサイズの増加は電子と正孔の全移動速度定数で表される電荷キャリアの遷移の加速をもたらした。界面に対する拡散時間と移動速度定数を抽出した。さらに,異なるfsレーザフルエンスによるポンピングは,加速がPS内の望ましくない電荷キャリアトラッピングと非放射再結合の寄与を減少させる励起子状態の光形成を示す。これらの結果は,これらのナノ複合材料に基づくLEDの効率を改善するためのQDサイズの重要性を明らかにした。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  再結合 ,  正孔 ,  *電荷 ,  半導体 ,  光ポンピング ,  励起子 ,  ヨウ化物 ,  硫化鉛 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： レーザフルエンス ,  トラッピング ,  *電荷キャリア ,  移動速度 ,  非放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (8件)： ペロブスカイト ,  量子ドット ,  界面 ,  電荷 ,  キャリア動力学 ,  サイズ ,  役割 ,  解読