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J-GLOBAL ID:202002262420300521   整理番号:20A2537568

非晶質MoS_2薄膜における誘電緩和と電荷移動【JST・京大機械翻訳】

Dielectric Relaxation and Charge Transfer in Amorphous MoS2 Thin Films
著者 (8件):
資料名:
巻: 257  号: 11  ページ: e2000114  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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誘電分光法を用いた非晶質MoS_2の薄層における誘電緩和と電荷移動に関する研究結果を示した。双極子緩和分極とホッピング電荷移動の両方を観測した。緩和過程E_aと伝導率E_σの活性化エネルギーを計算し,ほぼ等しいことを見出した。したがって,2つのプロセスは,同じ根底にある電荷移動機構に基づいていると仮定した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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二次電池  ,  分子の電気的・磁気的性質 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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