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J-GLOBAL ID：202002262432935609   整理番号：20A0837302

カチオン空格子点に関連した結晶構造とバンドギャップおよびそれらのCu三元系Cu_3+δIn_5Te_9(δ=0~0.175)の熱電性能に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】

Cation vacancy related crystal structure and bandgap and their effects on the thermoelectric performance of Cu-ternary systems Cu_3+δIn₅Te₉ (δ = 0-0.175)

著者 (5件)： Li Min (School of Materials & Chemical Engineering, Ningbo University of Technology, Ningbo 315211, China. [e-mail]) ,  Xia Yafen ,  Luo Yong ,  Zhong Yaqiong ,  Cui Jiaolin
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 22  号： 13  ページ： 7004-7011  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,銅空格子点濃度(V_c)を修正することにより,_5Te_9材料系におけるCu_3+δの結晶構造とバンドギャップを設計した。結果は,結晶歪パラメータ(ψ)がV_c値が減少するにつれて増加することを明らかにした。それはフォノン散乱の増強において基本的役割を果たし,それによって,格子部分(κ_L)を~830Kで最小値0.21W K~1m-1に減少させた。電気的性質は,V_c値が増加するにつれて広がったバンドギャップ(E_g)によって引き起こされたHallキャリア濃度(n_H)の減少によって劣化するが,移動度(μ)は増加する。結果として,熱電性能は,試料Cu_3+δ_5Te_9(δ=0.1)に対して,約1.0の最高ZT値で著しく改善された。この値は,元のCu_3In_5Te_9のそれを疑う。本研究では,Cu三元系における歪んだ結晶構造におけるポテンシャルフォノン散乱への洞察を与え,高性能熱電材料の設計に関するいくつかの光を明らかにした。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *カチオン ,  *結晶構造 ,  *バンドギャップ ,  移動度 ,  電気的性質 ,  キャリア密度 ,  熱電材料
準シソーラス用語： フォノン散乱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： カチオン ,  空格子点 ,  結晶構造 ,  バンドギャップ ,  Cu