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J-GLOBAL ID:202002262482356301   整理番号:20A2650973

室温ホルムアルデヒド(HCHO)修復のためのPt/TiO_2におけるTiO_2担体の欠陥ドメイン制御【JST・京大機械翻訳】

Defective domain control of TiO2 support in Pt/TiO2 for room temperature formaldehyde (HCHO) remediation
著者 (13件):
資料名:
巻: 538  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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室温での持続可能で効果的なホルムアルデヒド(HCHO)修復は,次世代の屋内環境浄化技術に大きな可能性がある。ここでは,欠陥アナターゼTiO_2を化学気相凝縮(CVC)を用いて合成し,その後0.08wt%Ptで含浸した。得られたPt/CVC-TiO_2触媒をHCHOの室温変換に用い,連続流動条件(GHSV100,000cm3h-1g_cat-1)で80%のHCHO除去効率を示し,初期濃度10ppmで600分以上の良好な安定性を示した。特性化結果は,金属酸化状態(Pt0),酸素空格子点(主にF中心),無秩序ドメイン,およびPtと欠陥TiO_2間の強い相互作用が,高い活性に必須であることを確認した。さらに,電子常磁性共鳴(EPR)分析は,CVC-TiO_2の欠陥ドメインの一貫した安定性を示し,多重サイクルにわたって触媒安定性を与えた。本研究は,TiO_2担体中の酸素空孔と得られたHCHO酸化機能の間の相乗的関係を明らかにした。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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